UCD74106 是一款可驱动降压电源的完整电源系统 ()。 在一个单片解决方案中全面集成高侧 MOSFET,低侧金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET),驱动器,电流感测电路以及必要的保护功能,以有助于实现最小尺寸与最高效率。 驱动器电路可在同步降压电路中为高侧 NMOS 开关和低侧 NMOS 同步整流器提供高充电及放电电流。 MOSFET 栅极由内部已稳压 VGG 电源驱动至 6.25V。 可禁用内部 VGG 稳压器,以允许用户提供一个独立的栅极驱动电压。 这种高灵活性支持 2.2V 至 18V 的宽功率转换输入电压。内部欠压闭锁 (UVLO) 逻辑可在允许芯片工作之前确保 VGG 正常。
驱动逻辑模块可支持两个工作模式中的一个。 在同步模式下,该逻辑模块可使用 PWM 信号来控制高侧与低侧栅极驱动信号。 已优化死区时间以防止交叉传导。 同步整流器使能 (SRE) 引脚在 PWM 信号为低电平时控制低侧 MOSFET 是否打开。
| Supply voltage (min) (V) | 2.2 |
| Supply voltage (max) (V) | 18 |
| Number of outputs | 1 |
| Peak output current (A) | 6 |
| Input threshold | CMOS |
| Propagation delay time (µs) | 0.02 |
| Driver configuration | Single |
| Operating temperature range (°C) | -40 to 125 |
| Rating | Catalog |
| VQFN-HR (RGM) | 13 | 9 mm² 3 x 3 |