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TPS51916 器件能够以最少总成本和最小空间为 DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 存储器系统提供完整的电源。它将同步降压稳压器控制器 (VDDQ) 与 2A 灌电流和 2A 拉电流跟踪 LDO (VTT) 以及缓冲低噪声基准 (VTTREF) 集成在一起。

该器件采用耦合了 300kHz 或 400kHz 频率的 D-CAP™ 模式，以实现易于使用且快速的瞬态响应，或采用耦合了更高的 500kHz 或 670kHz 频率的 D-CAP2™ 模式，以在无需外部补偿电路的情况下支持陶瓷输出电容器。VTTREF 跟踪 VDDQ/2 的精度优于 0.8%。能够提供 2A 灌电流和 2A 拉电流峰值电流功能的 VTT 只需 10µF 的陶瓷电容。提供专用的 LDO 电源输入。

该器件还可以提供卓越的电源性能。它支持灵活功率级控制，将 VTT 置于高阻抗状态（处于 S3）并在 S4 或 S5 状态下对 VDDQ、VTT 和 VTTREF 进行放电（软关闭）。它还提供具有低侧 MOSFET R_DS(on) 检测功能的可编程 OCL、OVP、UVP、UVLO 以及热关断保护。

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