此 NexFET 功率MOSFET已被设计成在功率转换应用中大大降低功率损失。
顶视图| VDS (V) | 25 |
| Configuration | Single |
| Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) | 1.8 |
| Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) | 1.15 |
| IDM - pulsed drain current (max) (A) | 200 |
| QG (typ) (nC) | 21 |
| QGD (typ) (nC) | 5.2 |
| QGS (typ) (nC) | 8.3 |
| VGS (V) | 16 |
| VGSTH typ (typ) (V) | 1.5 |
| ID - silicon limited at TC=25°C (A) | 261 |
| ID - package limited (A) | 100 |
| Logic level | Yes |
| Operating temperature range (°C) | -55 to 150 |
| Rating | Catalog |
| VSON-CLIP (DQH) | 8 | 30 mm² 6 x 5 |
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