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TI(德州仪器) CSD16301Q2
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CSD16301Q2

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正在供货

采用 2mm x 2mm SON 封装的单通道、29mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

产品详情
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  • 特性
  • 参数
  • 封装 | 引脚 | 尺寸

This 25-V, 19-mΩ, 2-mm × 2-mm SON NexFET™ power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion and load management applications. The 2-mm × 2-mm SON package offers excellent thermal performance for the size of the package.

  • Ultra-Low Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Lead-Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 2-mm × 2-mm Plastic Package
  • APPLICATIONS
    • DC-DC Converters
    • Battery and Load Management Applications

All other trademarks are the property of their respective owners

VDS (V)25
ConfigurationSingle
Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ)29
IDM - pulsed drain current (max) (A)20
QG (typ) (nC)2
QGD (typ) (nC)0.4
QGS (typ) (nC)0.6
VGS (V)10
VGSTH typ (typ) (V)1.1
ID - silicon limited at TC=25°C (A)20
ID - package limited (A)5
Logic levelYes
Operating temperature range (°C)-55 to 150
RatingCatalog
WSON (DQK)64 mm² 2 x 2
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