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TI(德州仪器) CSD16414Q5
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CSD16414Q5

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正在供货

采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、2.6mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

产品详情
  • 说明
  • 特性
  • 参数
  • 封装 | 引脚 | 尺寸

The NexFET™ power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications.

  • Ultra Low Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 5mm × 6mm Plastic Package
  • APPLICATIONS
    • Point-of-Load Synchronous Buck Converter for Applications in
      Networking, Telecom and Computing Systems
    • Optimized for Synchronous FET Applications

2NexFET is a trademark of Texas Instruments.

VDS (V)25
ConfigurationSingle
Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ)2.6
Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ)1.9
IDM - pulsed drain current (max) (A)213
QG (typ) (nC)16.6
QGD (typ) (nC)4.4
QGS (typ) (nC)7.3
VGS (V)16
VGSTH typ (typ) (V)1.6
ID - silicon limited at TC=25°C (A)100
ID - package limited (A)100
Logic levelYes
Operating temperature range (°C)-55 to 150
RatingCatalog
VSON-CLIP (DQH)830 mm² 6 x 5
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