This 25 V, 4.2 mΩ, 3.3 mm × 3.3 mm SON NexFET power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications.
| VDS (V) | 25 |
| Configuration | Single |
| Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) | 7.4 |
| Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) | 5.3 |
| IDM - pulsed drain current (max) (A) | 114 |
| QG (typ) (nC) | 5.8 |
| QGD (typ) (nC) | 1.5 |
| QGS (typ) (nC) | 2.5 |
| VGS (V) | 16 |
| VGSTH typ (typ) (V) | 1.7 |
| ID - silicon limited at TC=25°C (A) | 79 |
| ID - package limited (A) | 60 |
| Logic level | Yes |
| Operating temperature range (°C) | -55 to 150 |
| Rating | Catalog |
| VSON-CLIP (DQG) | 8 | 10.89 mm² 3.3 x 3.3 |
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