TPS737-Q1系列介绍资料

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TPS737-Q1

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TPS737xx-Q1 线性低压降 (LDO) 稳压器系列在电压跟随器配置中使用了 NMOS 旁路元件。该拓扑结构对输出电容值和等效串联电阻 (ESR) 的敏感度相对较低，从而实现多种负载配置。即使使用 1µF 的小型陶瓷输出电容器，也能实现出色的负载瞬态响应。NMOS 拓扑结构也可实现极低压降。

TPS737xx-Q1 系列利用先进的 BiCMOS 工艺实现高精度，同时提供极低的压降和低接地引脚电流。未启用时的电流消耗低于 20nA，适用于便携式应用。这些器件受到热关断和折返电流限制的保护。

符合汽车类应用要求
具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性：
- 器件温度等级 1：–40°C 至 125°C 环境工作温度范围
- 器件 HBM ESD 分类等级 2
- 器件 CDM ESD 分类等级 C4A
与 1µF 或更大的陶瓷输出电容器一起工作时保持稳定
输入电压范围：2.2V 至 5.5V
超低压降：1A 为 130mV（典型值）
即使使用仅为 1µF 的输出电容器，也能实现出色的负载瞬态响应
NMOS 拓扑可提供低反向漏电流
初始精度为 1%
整个线路、负载和温度范围内的精度达 3%
关断模式下静态电流小于 20nA（典型值）
通过热关断和电流限制实现故障保护
提供了多个输出电压版本

Output options	Fixed Output
Iout (max) (A)	1
Vin (max) (V)	5.5
Vin (min) (V)	2.2
Vout (max) (V)	3.3
Vout (min) (V)	1.9
Fixed output options (V)	1.9, 3.3
Noise (µVrms)	51
Iq (typ) (mA)	0.4
Thermal resistance θJA (°C/W)	52
Rating	Automotive
Load capacitance (min) (µF)	1
Regulated outputs (#)	1
Features	Enable, Foldback Overcurrent protection, Reverse Current Protection
Accuracy (%)	3
PSRR at 100 KHz (dB)	32
Dropout voltage (Vdo) (typ) (mV)	130
Operating temperature range (°C)	-40 to 125

VSON (DRB)

9 mm² 3 x 3

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