TPS735 低压降 (LDO)、低功耗线性稳压器可提供出色的交流性能以及极低的接地电流。可提供高电源抑制比 (PSRR)、低噪声、快速启动以及出色的线路和负载瞬态响应，同时消耗极低的 45µA（典型值）接地电流。
TPS735 器件与陶瓷电容器搭配使用时可保持稳定，并且该器件使用先进的 BiCMOS 制造工艺，能够在输出 500mA 电流时产生 280mV 的典型压降电压。TPS735 器件使用精密电压基准和反馈环路，可在全部负载、线路、过程和温度变化范围内实现 2% 的总体精度 (VOUT > 2.2V)。此器件的额定 TJ = –40°C 至 +125°C，采用薄型 3mm × 3mm SON-8 封装和 2mm × 2mm WSON-6 封装。
| Output options | Adjustable Output, Fixed Output |
| Iout (max) (A) | 0.5 |
| Vin (max) (V) | 6.5 |
| Vin (min) (V) | 2.7 |
| Vout (max) (V) | 6 |
| Vout (min) (V) | 1.2 |
| Fixed output options (V) | 1.2, 1.5, 2.5, 2.7, 2.85, 3.3, 3.4 |
| Noise (µVrms) | 16.5 |
| Iq (typ) (mA) | 0.045 |
| Thermal resistance θJA (°C/W) | 52 |
| Rating | Catalog |
| Load capacitance (min) (µF) | 2.2 |
| Regulated outputs (#) | 1 |
| Features | Enable |
| Accuracy (%) | 2 |
| PSRR at 100 KHz (dB) | 28 |
| Dropout voltage (Vdo) (typ) (mV) | 280 |
| Operating temperature range (°C) | -40 to 125 |
| VSON (DRB) | 8 | 9 mm² 3 x 3 |
| WSON (DRV) | 6 | 4 mm² 2 x 2 |
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