TPS737 线性低压降 (LDO) 稳压器在电压跟随器配置中使用 NMOS 导通晶体管。该拓扑对输出电容值和等效串联电阻 (ESR) 的敏感度相对较低，从而实现多种负载配置。负载瞬态响应出色，即使与 1µF 小型陶瓷输出电容搭配工作时也是如此。NMOS 拓扑也可实现超低压降。
TPS737 利用先进的 BiCMOS 工艺实现高精度，同时提供超低的压降电压和低接地引脚电流。带有 M3 后缀的器件型号采用依托最新 TI 工艺技术的更新设计。未启用时的电流消耗小于 20nA，适用于便携式应用。该器件受到热关断和折返电流限制的保护。
对于需要更高输出电压精度的应用，请考虑 TI 的 TPS7A37 1% 总精度、1A 低压降稳压器。
| Output options | Adjustable Output, Fixed Output |
| Iout (max) (A) | 1 |
| Vin (max) (V) | 5.5 |
| Vin (min) (V) | 2.2 |
| Vout (max) (V) | 5.4 |
| Vout (min) (V) | 1.2 |
| Fixed output options (V) | 1.8, 2.5, 3, 3.3, 3.4 |
| Noise (µVrms) | 48 |
| Iq (typ) (mA) | 0.4 |
| Thermal resistance θJA (°C/W) | 47.7, 50 |
| Rating | Catalog |
| Load capacitance (min) (µF) | 1 |
| Regulated outputs (#) | 1 |
| Features | Enable, Foldback Overcurrent protection, Foldback overcurrent protection, Reverse Current Protection, Reverse current protection |
| Accuracy (%) | 3 |
| PSRR at 100 KHz (dB) | 33 |
| Dropout voltage (Vdo) (typ) (mV) | 130 |
| Operating temperature range (°C) | -40 to 125 |
| SOT-223 (DCQ) | 6 | 45.89 mm² 6.5 x 7.06 |
| VSON (DRB) | 8 | 9 mm² 3 x 3 |
| WSON (DRV) | 6 | 4 mm² 2 x 2 |
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