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TI(德州仪器) TPS51116
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TPS51116

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全套 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3 和 DDR4 电源解决方案同步降压控制器、3A LDO

产品详情
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  • 特性
  • 参数
  • 封装 | 引脚 | 尺寸

TPS51116 提供一个用于 DDR/SSTL-2、DDR2/SSTL-18、DDR3/SSTL-15、DDR3L、LPDDR3 和 DDR4 内存系统的完整电源。它集成了一个具有 3A 拉电流/灌电流跟踪线性稳压器和经缓冲的低噪声基准的同步降压控制器。该器件在空间受限的系统中提供最低的总解决方案成本。同步控制器运行具有自适应接通时间控制的定频 400kHz、伪恒定频率脉宽调制 (PWM),此控制可在 D-CAP 中配置™易于使用和最快瞬态响应或者电流模式以支持陶瓷输出电容器。3A 拉电流/灌电流 LDO 只需 20µF (2 × 10µF) 陶瓷输出电容器即可保持快速瞬态响应。此外,LDO 电源输入是外部可用的,这样可大大减少总体功耗。该器件支持所有睡眠状态控制,此类控制在 S3(挂起到 RAM)中将 VTT 置于 high-Z 状态并且在 S4/S5(挂起到硬盘)中将 VDDQ、VTT 和 VTTREF(软关闭)放电。该器件还具有全部保护 特性, 包括热关断保护,并且提供 20 引脚 HTSSOP PowerPAD™封装和 24 引脚 4 × 4 QFN 封装。

  • 同步降压控制器 (VDDQ)
    • 宽输入电压范围: 3.0V 至 28V
    • 负载阶跃响应为 100ns 的 D−CAP™ 模式
    • 电流模式选项支持陶瓷输出电容器
    • 支持 S4/S5 状态内的软关闭
    • 利用RDS(on) 或电阻器进行电流检测
    • 2.5V (DDR)、1.8V (DDR2),可调节至
      1.5V (DDR3)、1.35V (DDR3L)、1.2V(LPDDR3 和 DDR4)或
      输出范围 0.75V 至 3.0V
    • 配备有电源正常、过压保护和欠压保护
  • 3A LDO (VTT),经缓冲基准 (VREF)
    • 拉电流和灌电流的能力达到 3A
    • 提供 LDO 输入以优化功率损耗
    • 只需 20µF 陶瓷输出电容器
    • 经缓冲的低噪声 10mA VREF 输出
    • 针对 VREF 和 VTT 的 ±20mV 精度
    • 在 S3 中支持高阻抗 (high-Z),在 S4/S5 中支持软关闭
    • 热关断
Vin (min) (V)3
Vin (max) (V)28
FeaturesComplete Solution, Shutdown Pin for S3
Iq (typ) (mA)0.8
RatingCatalog
Operating temperature range (°C)-40 to 85
HTSSOP (PWP)2041.6 mm² 6.5 x 6.4
VQFN (RGE)2416 mm² 4 x 4
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