TS3DDR4000 是一款 1:2 或 2:1 高速 DDR2/DDR3/DDR4 开关，可实现 12 位宽总线切换。该器件可针对所有位同时将 A 端口切换为 B 或 C 端口。TS3DDR4000 设计用于 DDR2、DDR3 和 DDR4 存储器总线系统，并且采用一种专有架构，可提供高带宽（单端 5.6GHz 下的带宽为 -3dB）、低频下的低插入损耗以及超低传播延迟等诸多优势。TS3DDR4000 兼容 1.8V 逻辑，并且所有开关均为双向开关，提高了设计灵活性。此外，TS3DDR4000 还具有低功耗模式。在此模式下，所有通道均呈高阻态且器件功耗最低。
| Protocols | DDR2, DDR3, DDR4, MIPI |
| Configuration | 2 |
| Number of channels | 12 |
| Supply voltage (max) (V) | 3.6 |
| Supply voltage (min) (V) | 2.375 |
| Ron (typ) (mΩ) | 8300 |
| Input/output voltage (min) (V) | 0 |
| Input/output voltage (max) (V) | 3.3 |
| Supply current (typ) (µA) | 40 |
| ESD HBM (typ) (kV) | 3 |
| Operating temperature range (°C) | -40 to 85 |
| Crosstalk (dB) | -68 |
| COFF (typ) (pF) | 1 |
| CON (typ) (pF) | 0.5 |
| Off isolation (typ) (dB) | -34 |
| OFF-state leakage current (max) (µA) | 5 |
| Ron (max) (mΩ) | 11200 |
| Ron channel match (max) (Ω) | 1 |
| RON flatness (typ) (Ω) | 0.6 |
| Turnoff time (disable) (max) (ns) | 65 |
| Turnon time (enable) (max) (ns) | 65 |
| VIH (min) (V) | 1.4 |
| VIL (max) (V) | 0.5 |
| NFBGA (ZBA) | 48 | 24 mm² 8 x 3 |
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