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TI(德州仪器) TS3DDR3812
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TS3DDR3812

TS3DDR3812

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适用于 DDR3 应用的 3.3V、2:1 (SPDT)、12 通道开关

产品详情
  • 说明
  • 特性
  • 参数
  • 封装 | 引脚 | 尺寸

TS3DDR3812 是一款专门针对 DDR3 应用而设计的 12 通道,1:2 多路复用器/多路解复用器开关。 该产品采用 3 至 3.6V 电源供电,提供低而平坦的导通状态电阻以及低 I/O 电容,从而可实现 1.675GHz 的典型带宽。

通道 A0 至 A11 分为两个 6 位组,可通过两组名为 SEL1 与 SEL2 的数字输入进行独立控制。 这些选择输入可控制每个 6 位 DDR3 信号源的开关位置,使它们能够准确发送至两个端点中的一个。 此外,本开关还可用于将单个端点与两个 6 位 DDR3 信号源中的一个连接起来。 对于 12 位 DDR3 信号源的开关,只需外部连接 SEL1 与 SEL2,便可通过一个单个 GPIO 输入控制所有 12 个通道。 一个 EN 输入可在不使用时使整个芯片处于高阻抗 (Hi-Z) 状态。

这些特性使 TS3DDR3812 成为存储器、模拟/数字视频、局域网 (LAN) 以及其它高速信号开关应用中的理想选择。

  • 与 DDR3 SDRAM 标准 (JESD79-3D) 兼容
  • 1.675GHz 的宽带宽
  • 低传播延迟(典型值 tpd = 40ps)
  • 低位到位偏斜(典型值 tsk(o) = 6ps)
  • 低而平坦的导通电阻
    (典型值 rON = 8Ω)
  • 低输入/输出电容
    (典型值 CON = 5.6pF)
  • 低串扰(XTALK = -43dB,
    这是在 250MHz 时的典型值)
  • 3V 至 3.6V 的 VCC工作范围
  • 数据 I/O 端口上的轨至轨开关
    (0 至 VCC
  • 用于上部及下部 6 通道的分离开关控制逻辑
  • 专用使能逻辑电路支持高阻抗 (Hi-Z) 模式
  • I关闭保护防止断电状态 (VCC = 0V) 下的电流泄漏
  • 静电放电 (ESD) 性能测试符合 JESD22 标准
    • 2000V 人体模型
      (A114B,II 类)
    • 1000V 充电器件模型 (C101)
  • 42 引脚 RUA 封装(9mm × 3.5mm,0.5mm 焊球间距)

应用范围

  • DDR3 信号开关
  • DIMM 模块
  • 笔记本/台式机
  • 服务器

ProtocolsDDR3
Configuration2
Number of channels12
Bandwidth (MHz)1675
Supply voltage (max) (V)3.6
Supply voltage (min) (V)3
Ron (typ) (mΩ)8000
Input/output voltage (min) (V)0
Input/output voltage (max) (V)3.6
Supply current (typ) (µA)300
ESD HBM (typ) (kV)2
Operating temperature range (°C)-40 to 85
Crosstalk (dB)-71
ESD CDM (kV)1
Input/output continuous current (max) (mA)128
COFF (typ) (pF)5.6
CON (typ) (pF)2
Off isolation (typ) (dB)-42
OFF-state leakage current (max) (µA)1
Propagation delay time (µs)0.00004
Ron (max) (mΩ)12000
Ron channel match (max) (Ω)1
RON flatness (typ) (Ω)1.5
Turnoff time (disable) (max) (ns)5
Turnon time (enable) (max) (ns)7
VIH (min) (V)2
VIL (max) (V)0.8
WQFN (RUA)4231.5 mm² 9 x 3.5
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