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TI(德州仪器) JFE2140
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JFE2140

JFE2140

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双路、超低噪声、低栅极电流音频 N 沟道 JFET

产品详情
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  • 特性
  • 参数
  • 封装 | 引脚 | 尺寸

JFE2140 是使用德州仪器 (TI) 现代高性能模拟双极工艺构建的 Burr-Brown™ 音频、匹配对分立式 JFET。JFE2140 具有以前较旧的分立式 JFET 技术所不具备的性能。JFE2140 在所有电流范围内均提供出色的噪声性能,静态电流可由用户设置,范围为 50 µA 至 20 mA。当偏置电流为 5 mA 时,该器件会产生 0.9 nV/√ Hz 的输入参考噪声,从而以极高的输入阻抗 (>1TΩ) 提供超低噪声性能。此外,按照 ±4mV 测试 JFET 之间的匹配,可为差分对配置提供低失调电压和高 CMRR 性能。JFE2140 还具有连接到独立钳位节点的集成二极管,无需添加高泄漏、非线性外部二极管即可提供保护。

JFE2140 可承受 40V 的高漏源电压,以及低至 –40V 的栅源电压和栅漏电压。该器件额定工作温度范围为 –40°C 至 +125°C。

  • 超低噪声:
    • 电压噪声:
      • 1 kHz 时为 0.9 nV/√ Hz,I DS = 5 mA
      • 1 kHz 时为 1.1 nV/√ Hz,I DS = 2mA
    • 电流噪声:1 kHz 时为 1.6 fA/√ Hz
  • 低 V GS 失配:4mV(最大值)
  • 低栅极电流:10 pA(最大值)
  • 低输入电容:V DS = 5V 时为 13 pF

  • 高栅漏电压和栅源击穿电压:-40V

  • 高跨导:30 mS

  • 封装:SOIC,2mm x 2mm WSON

Vn at 1 kHz (nV√Hz)0.9
Breakdown voltage (V)40
VDS (V)40
VGS (V)-40
VGSTH typ (typ) (V)1.2
RatingCatalog
Operating temperature range (°C)-40 to 125
SOIC (D)829.4 mm² 4.9 x 6
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