JFE2140 是使用德州仪器 (TI) 现代高性能模拟双极工艺构建的 Burr-Brown™ 音频、匹配对分立式 JFET。JFE2140 具有以前较旧的分立式 JFET 技术所不具备的性能。JFE2140 在所有电流范围内均提供出色的噪声性能,静态电流可由用户设置,范围为 50 µA 至 20 mA。当偏置电流为 5 mA 时,该器件会产生 0.9 nV/√ Hz 的输入参考噪声,从而以极高的输入阻抗 (>1TΩ) 提供超低噪声性能。此外,按照 ±4mV 测试 JFET 之间的匹配,可为差分对配置提供低失调电压和高 CMRR 性能。JFE2140 还具有连接到独立钳位节点的集成二极管,无需添加高泄漏、非线性外部二极管即可提供保护。
JFE2140 可承受 40V 的高漏源电压,以及低至 –40V 的栅源电压和栅漏电压。该器件额定工作温度范围为 –40°C 至 +125°C。
低输入电容:V DS = 5V 时为 13 pF
高栅漏电压和栅源击穿电压:-40V
高跨导:30 mS
封装:SOIC,2mm x 2mm WSON
| Vn at 1 kHz (nV√Hz) | 0.9 |
| Breakdown voltage (V) | 40 |
| VDS (V) | 40 |
| VGS (V) | -40 |
| VGSTH typ (typ) (V) | 1.2 |
| Rating | Catalog |
| Operating temperature range (°C) | -40 to 125 |
| SOIC (D) | 8 | 29.4 mm² 4.9 x 6 |