JFE150 是使用德州仪器 (TI) 的现代高性能模拟双极工艺构建的 Burr-Brown™ 分立式 JFET。JFE150 具有以前较旧的分立式 JFET 技术所不具备的性能。JFE150 提供出色的噪声功率效率和灵活性，静态电流可由用户设置，并为 50µA 至 20mA 的电流提供出色的噪声性能。当偏置电流为 5mA 时，该器件会产生 0.8nV/√ Hz 的输入参考噪声，从而以极高的输入阻抗 (> 1TΩ) 提供超低噪声性能。JFE150 还具有连接到独立钳位节点的集成二极管，无需添加高泄漏、非线性外部二极管即可提供保护。
JFE150 可承受 40V 的高漏源电压，以及低至 –40V 的栅源电压和栅漏电压。该器件额定工作温度范围为 –40°C 至 + 125°C，并采用 5 引脚 SOT-23 和 SC70 封装。
低输入电容：V DS = 5V 时为 24pF
高栅漏电压和栅源击穿电压：-40 V
高跨导：68mS
封装：小型 SC70 和 SOT-23
| Vn at 1 kHz (nV√Hz) | 0.8 |
| Breakdown voltage (V) | 40 |
| VDS (V) | 40 |
| VGS (V) | -40 |
| VGSTH typ (typ) (V) | -1.2 |
| Rating | Catalog |
| Operating temperature range (°C) | -40 to 125 |
| SOT-23 (DBV) | 5 | 8.12 mm² 2.9 x 2.8 |
| SOT-SC70 (DCK) | 5 | 4.2 mm² 2 x 2.1 |
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