TAS5612LA系列介绍资料

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TAS5612LA

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TAS5612LA 是基于 TAS5612A 的优化 D 类功率放大器。

TAS5612LA 使用大型 MOSFET 来提升功效和一个新型的栅极驱动机制在闲置和低输出信号时减少损耗，从而减小了散热片的尺寸。

该器件可使用独特的预钳位输出信号来控制 G 类电源。这一优势与 TAS5612LA 的低空闲损耗和高功率效率相结合，可实现行业领先水平的效率，从而确保构建超级“绿色”系统。

TAS5612LA 使用恒定电压增益。内部匹配增益电阻器确保了一个高电源抑制比，使得输出电压只取决于音频输入电压并避免了任何电源的人工缺陷。

TAS5612LA 的高集成度使得放大器易于使用；另外，使用 TI 的参考原理图和 PCB 布局缩短了设计时间。 TAS5612LA 采用节省空间的表面贴装 44 引脚 HTSSOP 封装。

PurePath HD 集成反馈提供：
- 1W 功率/4Ω 负载条件下的总谐波失真 (THD) 为 0.05%
- 电源抑制比 (PSRR) > 65dB（无输入信号）
- （A 加权）信噪比 (SNR) > 105dB
用于控制 G 类电源的预钳位输出
通过使用 60mΩ 输出金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 减小了散热器体积，满输出功率时效率 > 90%
总谐波失真+噪声 (THD+N) 为 10% 时的输出功率
- 125W/4Ω，桥接负载 (BTL) 立体声配置
- 250W/2Ω，并行桥接负载 (PBTL) 单声道配置
THD+N 为 1% 时的输出功率
- 105W/4Ω，桥接负载 (BTL) 立体声配置
- 55W/8Ω，桥接负载 (BTL) 立体声配置
启动时无喀哒声和噼啪声
采用具有错误报告功能的自我保护设计，包含欠压保护 (UVP)、过热保护和短路保护
采用推荐的系统设计时，符合电磁干扰 (EMI) 标准
采用 44 引脚散热薄型小外形尺寸 (HTSSOP) (DDV) 封装，减小了电路板尺寸

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Audio input type	PWM
Architecture	Class-D
Speaker channels (max)	4
Rating	Catalog
Power stage supply (max) (V)	32.5
Power stage supply (min) (V)	12
Load (min) (Ω)	4
Output power (W)	125
SNR (dB)	105
THD + N at 1 kHz (%)	0.05
Iq (typ) (mA)	22.3
Control interface	Hardware
Analog supply (min) (V)	10.8
Analog supply voltage (max) (V)	13.2
PSRR (dB)	80
Operating temperature range (°C)	0 to 125

HTSSOP (DDV)

113.4 mm² 14 x 8.1

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