TAS5614LA系列介绍资料

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TAS5614LA

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TAS5614LA 器件是一款基于 TAS5614LA 的功能优化 D 类功率放大器。

TAS5614LA 使用大型金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 提升功率效率，并采用新型栅极驱动方案降低空闲状态下和输出信号较低时的损耗，从而减小散热器尺寸。

该器件可使用独特的预钳位输出信号来控制 G 类电源。这一优势与 TAS5614LA 的低空闲损耗和高功率效率相结合，可实现行业领先水平的效率，从而确保构建超级“绿色”系统。

TAS5614LA 使用恒定电压增益。内部匹配增益电阻器确保了一个高电源抑制比，使得输出电压只取决于音频输入电压并避免了任何电源的人工缺陷。

TAS5614LA 的高集成度使得放大器易于使用；另外，使用 TI 的参考原理图和 PCB 布局缩短了设计时间。 TAS5614LA 采用节省空间的表面贴装 44 引脚 HTSSOP 封装。

PurePath HD 集成反馈提供：
- 1W 功率/4Ω 负载条件下的总谐波失真 (THD) 为 0.03%
- 电源抑制比 (PSRR) > 65dB（无输入信号）
- （A 加权）信噪比 (SNR) > 105dB
用于控制 G 类电源的预钳位输出
通过使用 60mΩ 输出金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 减小了散热器体积，满输出功率时效率 > 90%
总谐波失真+噪声 (THD+N) 为 10% 时的输出功率
- 150W/4Ω，桥接负载 (BTL) 立体声配置
- 300W/2Ω，并行桥接负载 (PBTL) 单声道配置
THD+N 为 1% 时的输出功率
- 125W/4Ω，桥接负载 (BTL) 立体声配置
- 65W/8Ω，桥接负载 (BTL) 立体声配置
启动时无喀哒声和噼啪声
采用具有错误报告功能的自我保护设计，包含欠压保护 (UVP)、过热保护和短路保护
采用推荐的系统设计时，符合电磁干扰 (EMI) 标准
采用 44 引脚散热薄型小外形尺寸 (HTSSOP) (DDV) 封装，减小了电路板尺寸

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Audio input type	PWM
Architecture	Class-D
Speaker channels (max)	4
Rating	Catalog
Power stage supply (max) (V)	36
Power stage supply (min) (V)	12
Load (min) (Ω)	4
Output power (W)	150
SNR (dB)	105
THD + N at 1 kHz (%)	0.03
Iq (typ) (mA)	22.3
Control interface	Hardware
Closed/open loop	Closed
Analog supply (min) (V)	10.8
Analog supply voltage (max) (V)	13.2
PSRR (dB)	80
Operating temperature range (°C)	0 to 125

HTSSOP (DDV)

113.4 mm² 14 x 8.1

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