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TI(德州仪器) TLV2314-Q1
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TLV2314-Q1

TLV2314-Q1

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汽车级、双路、5.5V、3MHz、RRIO 运算放大器

产品详情
  • 说明
  • 特性
  • 参数
  • 封装 | 引脚 | 尺寸

TLVx314-Q1 系列单通道、双通道和四通道运算放大器是新一代低功耗、通用运算放大器的典型代表。该系列器件具有轨到轨输入和输出 (RRIO) 摆幅、低静态电流(5V 时典型值为 150µA)、3MHz 高带宽等特性,非常适用于需要在成本与性能间实现良好平衡的各类电池供电型 应用 。TLVx314-Q1 系列可实现 1pA 低输入偏置电流,是高阻抗传感器的理想选择。

TLVx314-Q1 器件采用稳健耐用的设计,方便电路设计人员使用。该器件具有单位增益稳定性、支持轨到轨输入和输出 (RRIO)、容性负载高达 300PF,集成 RF 和 EMI 抑制滤波器,在过驱条件下不会出现反相并且具有高静电放电 (ESD) 保护(4kV 人体模型 (HBM))。

此类器件经过优化,适合在 1.8V (±0.9V) 至 5.5V (±2.75V) 的低电压状态下工作并可在 -40°C 至 +125°C 的扩展工业温度范围内额定运行。

TLV314-Q1(单通道)采用 5 引脚 SC70 和小外形尺寸晶体管 (SOT)-23 封装。TLV2314-Q1(双通道版本)采用 8 引脚小外形尺寸集成电路 (SOIC) 封装和超薄小外形尺寸 (VSSOP) 封装。四通道 TLV4314-Q1 采用 14 引脚薄型小外形尺寸 (TSSOP) 封装。

  • 符合汽车类应用的 要求
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列结果:
    • 器件温度 1 级:-40℃ 至 +125℃ 的环境运行温度范围
    • 器件 HBM ESD 分类等级 3A
    • 器件 CDM ESD 分类等级 C6
  • 低偏移电压:0.75mV(典型值)
  • 低输入偏置电流:1pA(典型值)
  • 宽电源电压范围:1.8V 至 5.5V
  • 轨到轨输入和输出
  • 增益带宽:3MHz
  • 低 IQ:每通道 250µA(最大值)
  • 低噪声:1kHz 时为 16nV/√Hz
  • 内部射频 (RF) 和电磁干扰 (EMI) 滤波器
  • 通道数量:
    • TLV314-Q1:1
    • TLV2314-Q1:2
    • TLV4314-Q1:4
  • 扩展温度范围:
    -40°C 至 +125°C
Number of channels2
Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V)5.5
Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V)1.8
Rail-to-railIn, Out
GBW (typ) (MHz)3
Slew rate (typ) (V/µs)1.5
Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV)3
Iq per channel (typ) (mA)0.15
Vn at 1 kHz (typ) (nV√Hz)16
RatingAutomotive
Operating temperature range (°C)-40 to 125
Offset drift (typ) (µV/°C)2
FeaturesCost Optimized, EMI Hardened
CMRR (typ) (dB)96
Iout (typ) (A)0.02
ArchitectureCMOS
Input common mode headroom (to negative supply) (typ) (V)0
Input common mode headroom (to positive supply) (typ) (V)0
Output swing headroom (to negative supply) (typ) (V)0
Output swing headroom (to positive supply) (typ) (V)-0.025
SOIC (D)829.4 mm² 4.9 x 6
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