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TI(德州仪器) TLV2313-Q1
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TLV2313-Q1

TLV2313-Q1

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汽车级、双路、5.5V、1MHz、RRIO 运算放大器

产品详情
  • 说明
  • 特性
  • 参数
  • 封装 | 引脚 | 尺寸

TLVx313-Q1 系列单通道和双通道运算放大器兼具低功耗和高性能优势。因此非常适合各种广泛的 应用, 如信息娱乐、引擎控制单元、汽车照明等。该系列 具有 轨至轨输入和输出 (RRIO) 摆幅、低静态电流(典型值:65µA)、高带宽 (1MHz) 以及超低噪声(1kHz 时为 26nV/√Hz)等特性,因此对于需要在成本与性能间实现良好平衡的各类电池供电型 应用 非常有吸引力。此外,该系列器件具有低输入偏置电流,因此适用于 源阻抗高达兆欧级 的应用。

TLVx313-Q1 器件采用稳健耐用的设计,方便电路设计人员使用。这些器件在容性负载高达 100pF 的条件下具有单位增益稳定性,集成了 RFI/EMI 抑制滤波器,在过驱条件下无相位反转,并具有高静电放电 (ESD) 保护 (4kV HBM)。

这些器件经过优化,适合在低至 1.8V (±0.9V) 和高达 5.5V (±2.75V) 的电压下工作,且额定的扩展工作温度范围为 –40°C 至 +125°C。

单通道 TLV313-Q1 器件采用 SC70-5 封装。双通道 TLV2313-Q1 器件采用 SOIC-8 (D) 和 VSSOP-8 (DGK) 封装。

  • 符合汽车应用要求 要求
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性
    • 器件温度等级 1:–40°C 至 +125°C
      的环境工作温度范围
    • 器件 HBM ESD 分类等级 3A
    • 器件 CDM ESD 分类等级 C6
  • 面向成本敏感型系统的精密放大器
  • 低 IQ:每通道 65µA
  • 宽电源电压:1.8V 至 5.5V
  • 低噪声:1kHz 时为 26nV/√Hz
  • 增益带宽:1MHz
  • 轨到轨输入/输出
  • 低输入偏置电流:1pA
  • 低失调电压:0.75mV
  • 单位增益稳定
  • 内部射频干扰 (RFI)/电磁干扰 (EMI) 滤波器
Number of channels2
Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V)5.5
Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V)1.8
Rail-to-railIn, Out
GBW (typ) (MHz)1
Slew rate (typ) (V/µs)0.5
Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV)3
Iq per channel (typ) (mA)0.065
Vn at 1 kHz (typ) (nV√Hz)26
RatingAutomotive
Operating temperature range (°C)-40 to 125
Offset drift (typ) (µV/°C)2
FeaturesCost Optimized, EMI Hardened
CMRR (typ) (dB)85
Iout (typ) (A)0.015
ArchitectureCMOS
Input common mode headroom (to negative supply) (typ) (V)-0.2
Input common mode headroom (to positive supply) (typ) (V)0.2
Output swing headroom (to negative supply) (typ) (V)0.075
Output swing headroom (to positive supply) (typ) (V)-0.1
SOIC (D)829.4 mm² 4.9 x 6
VSSOP (DGK)814.7 mm² 3 x 4.9
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