TLVx313-Q1 系列单通道和双通道运算放大器兼具低功耗和高性能优势。因此非常适合各种广泛的 应用, 如信息娱乐、引擎控制单元、汽车照明等。该系列 具有 轨至轨输入和输出 (RRIO) 摆幅、低静态电流(典型值:65µA)、高带宽 (1MHz) 以及超低噪声(1kHz 时为 26nV/√Hz)等特性,因此对于需要在成本与性能间实现良好平衡的各类电池供电型 应用 非常有吸引力。此外,该系列器件具有低输入偏置电流,因此适用于 源阻抗高达兆欧级 的应用。
TLVx313-Q1 器件采用稳健耐用的设计,方便电路设计人员使用。这些器件在容性负载高达 100pF 的条件下具有单位增益稳定性,集成了 RFI/EMI 抑制滤波器,在过驱条件下无相位反转,并具有高静电放电 (ESD) 保护 (4kV HBM)。
这些器件经过优化,适合在低至 1.8V (±0.9V) 和高达 5.5V (±2.75V) 的电压下工作,且额定的扩展工作温度范围为 –40°C 至 +125°C。
单通道 TLV313-Q1 器件采用 SC70-5 封装。双通道 TLV2313-Q1 器件采用 SOIC-8 (D) 和 VSSOP-8 (DGK) 封装。
| Number of channels | 2 |
| Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V) | 5.5 |
| Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V) | 1.8 |
| Rail-to-rail | In, Out |
| GBW (typ) (MHz) | 1 |
| Slew rate (typ) (V/µs) | 0.5 |
| Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) | 3 |
| Iq per channel (typ) (mA) | 0.065 |
| Vn at 1 kHz (typ) (nV√Hz) | 26 |
| Rating | Automotive |
| Operating temperature range (°C) | -40 to 125 |
| Offset drift (typ) (µV/°C) | 2 |
| Features | Cost Optimized, EMI Hardened |
| CMRR (typ) (dB) | 85 |
| Iout (typ) (A) | 0.015 |
| Architecture | CMOS |
| Input common mode headroom (to negative supply) (typ) (V) | -0.2 |
| Input common mode headroom (to positive supply) (typ) (V) | 0.2 |
| Output swing headroom (to negative supply) (typ) (V) | 0.075 |
| Output swing headroom (to positive supply) (typ) (V) | -0.1 |
| SOIC (D) | 8 | 29.4 mm² 4.9 x 6 |
| VSSOP (DGK) | 8 | 14.7 mm² 3 x 4.9 |