INA819 是一款高精度仪表放大器，可提供低功耗并且可在极宽的单电源或双电源电压范围内工作。可通过单个外部电阻器在 1 到 10,000 范围内设置任意增益。由于采用超 β 输入晶体管（这些晶体管可提供极低的输入失调电压、失调电压漂移、输入偏置电流、输入电压和电流噪声），该器件可提供出色的精度。附加电路可以为输入提供高达 ±60V 的过压保护。
INA819 经过优化，可提供较高的共模抑制比。当 G = 1 时，整个输入共模范围内的共模抑制比超过 90 dB。根据设计，此器件在低电压下运行，由 4.5V 单电源和高达 ±18V 的双电源供电。
INA819 采用 8 引脚 SOIC、VSSOP 和 WSON 封装，并且额定工作温度范围为 –40°C 至 +125°C。
| Number of channels | 1 |
| Vs (max) (V) | 36 |
| Vs (min) (V) | 4.5 |
| Input offset (±) (max) (µV) | 35 |
| Voltage gain (min) (V/V) | 1 |
| Voltage gain (max) (V/V) | 10000 |
| Noise at 1 kHz (typ) (nV√Hz) | 8 |
| Features | Overvoltage protection, Small Size, Super-beta |
| CMRR (min) (dB) | 110 |
| Input offset drift (±) (max) (V/°C) | 0.0000004 |
| Input bias current (±) (max) (nA) | 0.5 |
| Iq (typ) (mA) | 0.35 |
| Bandwidth at min gain (typ) (MHz) | 2 |
| Gain error (±) (max) (%) | 0.15 |
| Operating temperature range (°C) | -40 to 125 |
| Rating | Catalog |
| Type | Resistor |
| Gain nonlinearity (±) (max) (%) | 0.0015 |
| Output swing headroom (to negative supply) (typ) (V) | 0.15 |
| Output swing headroom (to positive supply) (typ) (V) | -0.15 |
| Input common mode headroom (to negative supply) (typ) (V) | 2 |
| Input common mode headroom (to positive supply) (typ) (V) | -2 |
| Noise at 0.1 Hz to 10 Hz (typ) (µVPP) | 0.19 |
| SOIC (D) | 8 | 29.4 mm² 4.9 x 6 |
| VSSOP (DGK) | 8 | 14.7 mm² 3 x 4.9 |
| WSON (DRG) | 8 | 9 mm² 3 x 3 |
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