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TI(德州仪器) TPD1E01B04-Q1
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TPD1E01B04-Q1

TPD1E01B04-Q1

正在供货

适用于 USB 和 FPD-Link 且采用 0402 封装的汽车类 0.2pF、±3.6V、±15kV ESD 保护二极管

产品详情
  • 说明
  • 特性
  • 参数
  • 封装 | 引脚 | 尺寸

TPD1E01B04-Q1 是一款双向 TVS ESD 保护二极管,用于为 USB Type-C 和 FPD-Link 电路提供保护。 TPD1E01B04-Q1 的额定 ESD 冲击消散值等于 IEC 61000-4-2 国际标准(4 级)规定的最高水平。

该器件采用一个 0.20pF(典型值)的 IO 电容,适用于保护速率高达 20Gbps 的高速接口(例如 USB 3.1 Gen2 和 FPD-Link)。低动态电阻和低钳位电压确保系统级抗瞬变事件保护。

TPD1E01B04-Q1 采用业界通用的 0402 (DPY) 封装。

  • IEC 61000-4-2 4 级 ESD 保护
    • ±15kV 接触放电
    • ±17kV 空气间隙放电
  • IEC 61000-4-4 EFT 保护
    • 80A (5/50ns)
  • IEC 61000-4-5 浪涌保护
    • 2.5A (8/20µs)
  • IO 电容:
    • 0.20pF(典型值)
    • 0.23pF(最大值)
  • 直流击穿电压:6.4V(典型值)
  • 超低泄漏电流:10nA(最大值)
  • 低 ESD 钳位电压:16A TLP 时为 15V
  • 低插入损耗:20 GHz
  • 支持速率高达 20Gbps 的高速接口
  • 业界通用 0402 封装
  • 符合 AEC-Q101 标准
    • 器件 HBM 分类等级 H2
    • 器件 CDM 分类等级 C5
    • 器件工作温度范围:–40°C 至 +125°C
Package nameDFN-1006 (X1SON)
Vrwm (V)3.6
Bi-/uni-directionalBi-directional
Number of channels1
IO capacitance (typ) (pF)0.2
Clamping voltage (V)15
Breakdown voltage (min) (V)6.4
X1SON (DPY)20.6 mm² 1 x 0.6
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