TPD1E10B09-Q1 器件是一款采用小型 0402 业界通用封装的双向静电放电 (ESD) 瞬态电压抑制 (TVS) 二极管。该 TVS 保护二极管可方便在节省空间的应用中进行元件放置,并且具有低 R DYN 和高 IEC 等级。 TPD1E10B09-Q1 的额定 ESD 冲击消散值高于 IEC 61000-4-2 国际标准中规定的最高级别(4 级),可以提供 ±20kV 接触放电和 ±20kV IEC 气隙保护。ESD 电压可轻松达到 5kV,并且在极端条件下,这些电压能够显著升高,从而对许多集成电路造成损坏。例如,在湿度较低的环境下,电压可超过 20kV。
低动态电阻 (0.5Ω) 和低钳位电压(1A IPP 时为 13V)可确保提供系统级瞬变事件保护,从而为暴露于 ESD 事件下的设计提供强大的保护。该器件还具有 10pF IO 电容,因此非常适用于音频线路、按钮、存储器接口或 GPIO。
该器件还具有未经过汽车认证的型号:TPD1E10B09。
| Package name | DFN-1006 (X1SON) |
| Vrwm (V) | 9 |
| Bi-/uni-directional | Bi-directional |
| Number of channels | 1 |
| IO capacitance (typ) (pF) | 10 |
| Clamping voltage (V) | 13 |
| Breakdown voltage (min) (V) | 9.5 |
| X1SON (DPY) | 2 | 0.6 mm² 1 x 0.6 |