TPD2EUSB30、TPD2EUSB30A 和 TPD4EUSB30 是基于 2 通道和 4 通道瞬态电压抑制器 (TVS) 的静电放电 (ESD) 保护二极管阵列。TPDxEUSB30/A 器件的额定 ESD 冲击消散值达到了 IEC 61000-4-2 国际标准（接触式）规定的最高水平。根据 IEC 61000-4-5（浪涌）规范，这类器件还可提供 5A (8/20µs) 的峰值脉冲电流额定值。
TPD2EUSB30A 具有 4.5V 的低直流击穿电压。凭借低电容、低击穿电压和低动态电阻，TPD2EUSB30A 器件可为高速差分 IO 提供出色的保护。
TPD2EUSB30 和 TPD2EUSB30A 可采用节省空间的 DRT (1mm × 1mm) 封装。TPD4EUSB30 可采用节省空间的 DQA (2.5mm × 1.0mm) 封装。
| Package name | USON |
| Vrwm (V) | 5.5 |
| Bi-/uni-directional | Uni-Directional |
| Number of channels | 4 |
| IO capacitance (typ) (pF) | 0.8 |
| Clamping voltage (V) | 8 |
| Breakdown voltage (min) (V) | 7 |
| USON (DQA) | 10 | 2.5 mm² 2.5 x 1 |
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