TLV313 系列单通道、双通道和四通道运算放大器集低功耗与良好的性能于一体。这使得它们非常适用于各种 应用，如可穿戴设备、公共事业计量、楼宇自动化、点钞机 。该系列 具有 轨到轨输入和输出 (RRIO) 摆幅、低静态电流（典型值：65µA）、高带宽 (1MHz) 以及超低噪声（1kHz 时为 26nV/√Hz）等特性，因此对于需要在成本与性能间实现良好平衡的各类电池供电 应用 而言非常具有吸引力。此外，该系列器件具有低输入偏置电流，因此适合用于 源阻抗高达兆欧级 的应用。
TLV313器件的稳健耐用设计便于电路设计人员使用。该器件在高达 100pF 的容性负载条件下单位增益稳定并集成了 RFI/EMI 抑制滤波器，在过驱条件下不会出现反相而且具有高静电放电 (ESD) 保护功能（4kV 人体模型 (HBM)）。
此类器件经过优化，适合在低至 1.8V (±0.9V) 和高达 5.5V (±2.75V) 的低压下工作，且额定扩展工作温度范围为
–40°C 至 +125°C。
单通道 TLV313 器件采用。。双通道 TLV2313 器件采用小外形尺寸集成电路 (SOIC)-8 和超薄小外形尺寸 (VSSOP)-8 封装，四通道 TLV4313 器件采用薄型小外形尺寸 (TSSOP)-14 封装。
| Number of channels | 2 |
| Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V) | 5.5 |
| Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V) | 1.8 |
| Rail-to-rail | In, Out |
| GBW (typ) (MHz) | 1 |
| Slew rate (typ) (V/µs) | 0.5 |
| Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) | 3 |
| Iq per channel (typ) (mA) | 0.065 |
| Vn at 1 kHz (typ) (nV√Hz) | 26 |
| Rating | Catalog |
| Operating temperature range (°C) | -40 to 125 |
| Offset drift (typ) (µV/°C) | 2 |
| Features | Cost Optimized, EMI Hardened |
| CMRR (typ) (dB) | 85 |
| Iout (typ) (A) | 0.015 |
| Architecture | CMOS |
| Input common mode headroom (to negative supply) (typ) (V) | -0.2 |
| Input common mode headroom (to positive supply) (typ) (V) | 0.2 |
| Output swing headroom (to negative supply) (typ) (V) | 0.075 |
| Output swing headroom (to positive supply) (typ) (V) | -0.1 |
| SOIC (D) | 8 | 29.4 mm² 4.9 x 6 |
| VSSOP (DGK) | 8 | 14.7 mm² 3 x 4.9 |
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