TLV314 系列单通道、双通道和四通道运算放大器代表了新一代的低功耗、通用运算放大器。该系列器件具有轨到轨输入和输出摆幅 (RRIO)、低静态电流（5V 时的典型值为 150µA/通道）以及 3MHz 的高带宽等特性。 对于电池供电应用而言，一般要求性能和成本良好均衡， 此类放大器非常具有吸引力。此外，TLV314 系列架构可实现低至 1pA 的输入偏置电流，因此适用于 源阻抗 高达兆欧姆级别的应用。
TLV314 器件采用稳健耐用的设计，方便电路设计人员使用：单位增益稳定，具有 RRIO 和集成的 RF/EMI 抑制滤波器，容性负载最高达 300 pF，在过驱情况下不出现反相，并且带有高静电放电 (ESD) 保护（4kV HBM）。
此类器件经过优化，适合在 1.8V (±0.9V) 至 5.5V (±2.75V) 的低电压状态下工作并可在 -40°C 至 +125°C 的扩展工业温度范围内额定运行。
TLV314（单通道）采用 5 引脚 SC70 和小外形尺寸晶体管 (SOT)-23 封装。TLV2314（双通道）采用 8 引脚小外形尺寸集成电路 (SOIC) 和超薄小外形尺寸 (VSSOP) 封装。四通道 TLV4314 采用 14 引脚薄型小外形尺寸 (TSSOP) 封装。
| Number of channels | 2 |
| Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V) | 5.5 |
| Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V) | 1.8 |
| Rail-to-rail | In, Out |
| GBW (typ) (MHz) | 3 |
| Slew rate (typ) (V/µs) | 1.5 |
| Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) | 3 |
| Iq per channel (typ) (mA) | 0.15 |
| Vn at 1 kHz (typ) (nV√Hz) | 16 |
| Rating | Catalog |
| Operating temperature range (°C) | -40 to 125 |
| Offset drift (typ) (µV/°C) | 2 |
| Features | Cost Optimized, EMI Hardened |
| CMRR (typ) (dB) | 96 |
| Iout (typ) (A) | 0.02 |
| Architecture | CMOS |
| Input common mode headroom (to negative supply) (typ) (V) | -0.2 |
| Input common mode headroom (to positive supply) (typ) (V) | 0.2 |
| Output swing headroom (to negative supply) (typ) (V) | 0.005 |
| Output swing headroom (to positive supply) (typ) (V) | -0.005 |
| SOIC (D) | 8 | 29.4 mm² 4.9 x 6 |
| VSSOP (DGK) | 8 | 14.7 mm² 3 x 4.9 |
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