TLV316（单路）、TLV2316（双路）和 TLV4316（四路）器件构成了低功耗、通用运算放大器系列。该系列器件 特有轨到轨输入和输出摆幅，并且兼具低静态电流（每通道的典型值为 400μA）、10MHz 的较宽带宽和超低噪声（1kHz 时为 12 nV/√Hz），因此对于要求在成本和性能间达到良好平衡的各类电池供电 应用 而言极具吸引力。低输入偏置电流支持在 源阻抗高达兆欧级的 应用中使用此类运算放大器。
TLVx316 采用稳健耐用的设计，方便电路设计人员使用。该器件具有单位增益稳定的集成 RFI/EMI 抑制滤波器，在过驱条件下不会出现反相，并且具有高静电放电 (ESD) 保护 (4kV HBM)。
此类器件经过优化，适合在 1.8V (±0.9V) 至 5.5V (±2.75V) 的低电压状态下工作。这些最新补充的低电压互补金属氧化物半导体 (CMOS) 运算放大器与 TLVx313 和 TLVx314 系列搭配，为用户提供了广泛的带宽、噪声和功率选择，可以满足各种 应用的需求。
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| Number of channels | 4 |
| Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V) | 5.5 |
| Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V) | 1.8 |
| Rail-to-rail | In, Out |
| GBW (typ) (MHz) | 10 |
| Slew rate (typ) (V/µs) | 6 |
| Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) | 3 |
| Iq per channel (typ) (mA) | 0.4 |
| Vn at 1 kHz (typ) (nV√Hz) | 12 |
| Rating | Catalog |
| Operating temperature range (°C) | -40 to 125 |
| Offset drift (typ) (µV/°C) | 2 |
| Features | Cost Optimized, EMI Hardened |
| CMRR (typ) (dB) | 90 |
| Iout (typ) (A) | 0.05 |
| Architecture | CMOS |
| Input common mode headroom (to negative supply) (typ) (V) | -0.2 |
| Input common mode headroom (to positive supply) (typ) (V) | 0.2 |
| Output swing headroom (to negative supply) (typ) (V) | 0.005 |
| Output swing headroom (to positive supply) (typ) (V) | -0.005 |
| SOIC (D) | 14 | 51.9 mm² 8.65 x 6 |
| TSSOP (PW) | 14 | 32 mm² 5 x 6.4 |
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