UCC21550 是具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器系列。该器件采用 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流来驱动功率 MOSFET、SiC、GaN 和 IGBT 晶体管。
UCC21550 可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过一个 5kV RMS 隔离层与两个输出驱动器隔离，共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 125V/ns。
保护功能包括：电阻器可编程死区时间、同时关闭两个输出的禁用功能以及可抑制短于 5ns 的输入瞬态的集成抗尖峰脉冲滤波器。所有电源都有 UVLO 保护。
凭借所有这些高级特性， UCC21550 器件能够在各种各样的电源应用中实现高效率、高功率密度和稳健性。
通用：双通道低侧、双通道高侧或半桥驱动器
| Number of channels | 2 |
| Isolation rating | Reinforced |
| Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) | 5000 |
| Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) | 7070 |
| Power switch | IGBT, MOSFET, SiCFET |
| Peak output current (A) | 6 |
| Features | Disable, High CMTI, Programmable dead time |
| Output VCC/VDD (max) (V) | 25 |
| Output VCC/VDD (min) (V) | 13 |
| Input VCC (min) (V) | 3 |
| Input VCC (max) (V) | 5.5 |
| TI functional safety category | Functional Safety-Capable |
| Input threshold | CMOS, TTL |
| Operating temperature range (°C) | -40 to 150 |
| Rating | Catalog |
| Fall time (ns) | 8 |
| Undervoltage lockout (typ) (V) | 5, 8 |
| SOIC (DW) | 16 | 106.09 mm² 10.3 x 10.3 |
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