TPSI2140-Q1 是一款 隔离式固态继电器，专为高电压汽车和工业应用而设计。 TPSI2140-Q1 与 TI 具有高可靠性的电容隔离技术和内部背对背 MOSFET 整合在一起，形成了一款完全集成式解决方案，无需次级侧电源。
该器件的初级侧仅由 9mA 的输入电流供电，并集成了 一个失效防护 EN 引脚，可防止对 VDD 电源反向供电的任何可能性。在大多数应用中，器件的 VDD 引脚应连接到 5V 至 20V 的系统电源，并且器件的 EN 引脚应由逻辑高电平介于 2.1V 至 20V 之间的 GPIO 输出驱动。在其他应用中，VDD 和 EN 引脚可直接由系统电源或 GPIO 输出驱动。 TPSI2140-Q1 的所有控制配置都不需要光继电器解决方案通常所需的其他外部元件，例如电阻器和/或低侧开关。
次级侧都包含背对背 MOSFET，从 S1 至 S2 的关断电压为 ±1.2 kV。 TPSI2140-Q1 MOSFET 的雪崩稳健性和热敏感封装设计使其能够可靠地支持系统级电介质耐压测试 (HiPot)，并且无需任何外部元件即可承受高达 2mA 的直流快速充电器浪涌电流。
| Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) | 3750 |
| FET | Internal |
| Number of channels | 1 |
| Supply voltage (min) (V) | 4.5 |
| Supply voltage (max) (V) | 20 |
| Imax (A) | 0.05 |
| Features | 2-mA avalanche current, Capacitive isolation |
| TI functional safety category | Functional Safety-Capable |
| Operating temperature range (°C) | -40 to 125 |
| Turnon time (enable) (ns) | 70000 |
| Turnoff time (disable) (ns) | 100000 |
| OFF-state leakage current (µA) | 3.5 |
| Rating | Automotive |
| Isolation rating | Basic |
| CMTI (min) (kV/µs) | 100 |
| Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) | 1500 |
| Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) | 5000 |
| Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) | 5300 |
| Creepage (min) (mm) | 8 |
| Clearance (min) (mm) | 8 |
| SOIC (DWQ) | 11 | 106.09 mm² 10.3 x 10.3 |
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