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TI(德州仪器) UCC21755-Q1
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UCC21755-Q1

UCC21755-Q1

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具有主动保护和隔离式感应功能的汽车类 ±10A 隔离式单通道栅极驱动器

产品详情
  • 说明
  • 特性
  • 参数
  • 封装 | 引脚 | 尺寸

UCC21755-Q1 是一款电隔离单通道栅极驱动器,设计用于直流工作电压高达 2121V 的 SiC MOSFET 和 IGBT,具有先进的保护功能、出色的动态性能和稳健性。 UCC21755-Q1 具有高达 ±10A 的峰值拉电流和灌电流。

输入侧通过 SiO2 电容隔离技术与输出侧相隔离,支持高达 1.5kVRMS 的工作电压、12.8kVPK 的浪涌抗扰度,隔离层寿命超过 40 年,并提供较低的器件间偏移 ,共模噪声抗扰度 (CMTI) 大于 150V/ns。

UCC21755-Q1 包括先进的保护特性,如快速过流和短路检测、分流电流检测支持、故障报告、有源米勒钳位以及输入和输出侧电源 UVLO(用于优化 SiC 和 IGBT 开关行为和稳健性)。可以利用隔离式模拟至 PWM 传感器更轻松地进行温度或电压检测,从而进一步提高驱动器的多功能性并较少系统设计工作量、尺寸和成本。

  • 5.7kVRMS 单通道隔离式栅极驱动器
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性:
    • 器件温度等级 0:-40°C 至 +150°C 环境工作温度范围
    • 器件 HBM ESD 分类等级 3A
    • 器件 CDM ESD 分类等级 C6
  • 功能安全质量管理型
    • 有助于进行功能安全系统设计的文档
  • 高达 2121Vpk 的 SiC MOSFET 和 IGBT
  • 33V 最大输出驱动电压 (VDD-VEE)
  • ±10A 驱动强度和分离输出
  • 150V/ns 最小 CMTI
  • 具有 200ns 快速响应时间和 5V 阈值的 DESAT 保护
  • 4A 内部有源米勒钳位
  • 发生故障时的 400mA 软关断
  • 具有 PWM 输出的隔离式模拟传感器
    • 采用 NTC、PTC 或热敏二极管进行温度感应
    • 高电压直流链路或相电压
  • 过流警报 FLT 和通过 RST/EN 重置
  • 针对 RST/EN 的快速启用/禁用响应
  • 抑制输入引脚上的 <40ns 噪声瞬态和脉冲
  • RDY 上的 12V VDD UVLO(具有电源正常指示功能)
  • 具有高达 5V 过冲/欠冲瞬态电压抗扰度的输入/输出
  • 130ns(最大)传播延迟和 30ns(最大)脉冲/器件间偏移
  • SOIC-16 DW 封装,爬电距离和间隙 > 8mm
  • 工作结温范围:-40°C 至 +150°C
Number of channels1
Isolation ratingReinforced
Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms)5700
Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms)2121
Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK)8000
Power switchIGBT, SiCFET
Peak output current (A)10
FeaturesActive miller clamp, Disable, Enable, Fault reporting, High CMTI, Integrated analog to PWM sensor, Power good, Soft turn-off, Split output
Output VCC/VDD (max) (V)33
Output VCC/VDD (min) (V)13
Input VCC (min) (V)3
Input VCC (max) (V)5.5
TI functional safety categoryFunctional Safety Quality-Managed
Propagation delay time (µs)0.09
Input thresholdCMOS
Operating temperature range (°C)-40 to 125
RatingAutomotive
Bus voltage (max) (V)2121
Rise time (ns)33
Fall time (ns)27
Undervoltage lockout (typ) (V)12
SOIC (DW)16106.09 mm² 10.3 x 10.3
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