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TI(德州仪器) ISOS141-SEP
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ISOS141-SEP

ISOS141-SEP

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采用航天增强型塑料的抗辐射、四通道、3/1 数字隔离器

产品详情
  • 说明
  • 特性
  • 参数
  • 封装 | 引脚 | 尺寸

ISOS141-SEP 抗辐射器件是采用小型 16 引脚 QSOP 封装的高性能四通道数字隔离器。每条隔离通道的逻辑输入和输出缓冲器均由双电容二氧化硅 (SiO2) 绝缘栅相隔离。该器件具有 100Mbps 的高数据速率、10.7ns 的低传播延迟和 4ns 的通道间严格偏移,支持近地轨道 (LEO) 航天应用。ISOS141-SEP 器件具有三个正向通道和一个反向通道,如果失去输入功率或信号,默认输出为低电平。使能引脚可用于将各输出置于高阻抗,适用于多主驱动应用,还可降低功耗。

ISOS141-SEP 在隔离 CMOS 或 LVCMOS 数字 I/O 时,具有高电磁抗扰度和低辐射、低功耗特性。该器件具有 100kV/µs 的高共模瞬态抗扰度,可轻松缓解系统级 ESD、EFT 和浪涌问题,还通过创新的芯片设计简化了辐射方面的合规性。

  • 抗辐射
    • 电离辐射总剂量 (TID) 特征值(无 ELDRS)= 30krad(Si)
    • TID RLAT/RHA = 30krad(Si)
    • 单粒子锁定 (SEL) 在 125°C 下对 LET 的抗扰度 = 43MeV⋅cm2/mg
    • 单粒子绝缘击穿 (SEDR) 在 500VDC 下的抗扰度 (43MeV⋅cm2/mg)
  • 增强型航天塑料(航天 EP)
    • 符合 NASA ASTM E595 释气规格要求
    • 供应商项目图 (VID) V62/21610
    • 军用级温度范围(-55°C 至 125°C)
    • 同一晶圆制造场所
    • 同一组装和测试场所
    • 金键合线,NiPdAu 铅涂层
    • 晶圆批次可追溯性
    • 延长了产品生命周期
    • 延长了产品变更通知周期
  • 600VRMS 连续工作电压
    • DIN VDE V 0884-11:2017-01
    • UL 1577 组件认证计划
  • 100 Mbps 数据速率
  • 宽电源电压范围:2.25V 至 5.5V
  • 2.25V 至 5.5V 电平转换
  • 默认输出
  • 低功耗,1Mbps 时每通道的电流典型值为 1.5mA
  • 低传播延迟:典型值为 10.7ns(5V 电源供电时)
  • 通道间偏斜小:最大 4ns(5V 电源供电时)
  • CMTI 典型值为 ±100kV/µs
  • 系统级 ESD、EFT、浪涌和磁抗扰度
  • 小型 QSOP (DBQ-16) 封装

RatingSpace
Integrated isolated powerNo
Isolation ratingBasic
Number of channels4
Forward/reverse channels3 forward / 1 reverse
Default outputHigh, Low
Data rate (max) (Mbps)100
Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK)5200
Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK)4242
Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms)3000
CMTI (min) (V/µs)85000
Operating temperature range (°C)-55 to 125
Supply voltage (max) (V)5.5
Supply voltage (min) (V)2.25
Propagation delay time (typ) (µs)0.0107
Current consumption per channel (DC) (typ) (mA)0.88
Current consumption per channel (1 Mbps) (typ) (mA)1.48
Creepage (min) (mm)3.7
Clearance (min) (mm)3.7
SSOP (DBQ)1629.4 mm² 4.9 x 6
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