UCC21759-Q1系列介绍资料

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UCC21759-Q1

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产品详情

UCC21759 -Q1 是一款电隔离单通道栅极驱动器，旨在用于 SiC MOSFET 和 IGBT，工作电压高达 990V（直流），具有先进的保护特性、出色的动态性能和稳健性。 UCC21759 -Q1 具有高达 ±10A 的峰值拉电流和灌电流。

输入侧通过 SiO 2 电容隔离技术与输出侧相隔离，支持高达 700V RMS 的工作电压、超过 40 年的隔离栅寿命、6kV PK 的浪涌抗扰度，并提供较低的器件间偏斜和 >150V/ns 的共模噪声抗扰度 (CMTI)。

UCC21759 -Q1 包含先进的保护特性，如快速短路检测、故障报告、有源米勒钳位以及针对 SiC 和 IGBT 功率晶体管优化的输入和输出侧电源 UVLO。可以利用隔离式模拟至 PWM 传感器更轻松地进行温度或电压检测，从而进一步提高驱动器的多功能性并较少系统设计工作量、尺寸和成本。

3kV RMS 单通道隔离式栅极驱动器
符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
驱动高达 990V pk 的 SiC MOSFET 和 IGBT
33V 最大输出驱动电压 (VDD-VEE)
高峰值驱动电流和高 CMTI
±10A 驱动强度和分离输出
150V/ns 最小 CMTI
具有 200ns 快速响应时间的 DESAT 保护
4A 内部有源米勒钳位
在故障条件下提供 400mA 软关断
具有 PWM 输出的隔离式模拟传感器
- 采用 NTC、PTC 或热敏二极管的温度感应
- 高电压直流链路或相电压
过流警报 FLT 和通过 RST/EN 重置
针对 RST/EN 的快速启用/禁用响应
抑制输入引脚上的 <40ns 噪声瞬态和脉冲
RDY 上的 12V VDD UVLO（具有电源正常指示功能）
具有高达 5V 过冲/欠冲瞬态电压抗扰度的输入/输出
130 ns（最大）传播延迟和 30 ns（最大）脉冲/器件间偏移
SOIC-16 DW 封装，爬电距离和间隙 > 8mm
工作结温范围：-40°C 至 +150°C
安全相关认证（计划）：
- 符合 DIN V VDE V0884-11:2017-01 标准的 6000V PK 基础型隔离
- 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 3kV RMS 隔离

Number of channels	1
Isolation rating	Basic
Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms)	3000
Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms)	990
Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK)	4242
Power switch	IGBT, SiCFET
Peak output current (A)	10
Features	Active miller clamp, Fault reporting, Integrated analog to PWM sensor, Power good, Short circuit protection, Soft turn-off
Output VCC/VDD (max) (V)	33
Output VCC/VDD (min) (V)	13
Input VCC (min) (V)	3
Input VCC (max) (V)	5.5
Propagation delay time (µs)	0.09
Input threshold	CMOS
Operating temperature range (°C)	-40 to 150
Rating	Automotive
Bus voltage (max) (V)	990
Rise time (ns)	33
Fall time (ns)	27
Undervoltage lockout (typ) (V)	12

SOIC (DW)

106.09 mm² 10.3 x 10.3

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