UCC5870-Q1 器件是一款高度可配置的隔离式单通道栅极驱动器，在电动汽车/混合动力汽车应用中用于驱动高功率 SiC MOSFET 和 IGBT。该器件提供功率晶体管保护，例如基于分流电阻器的过流保护、基于 NTC 的过热保护以及 DESAT 检测，还在这些故障期间提供可选的软关断或两级关断。为了进一步缩小应用尺寸， UCC5870-Q1 集成了在开关期间可用的 4A 有源米勒钳位，以及在驱动器未通电时可用的有源栅极下拉电阻。集成的 10 位 ADC 可用于监控多达六个模拟输入以及栅极驱动器温度，从而增强系统管理。集成的诊断和检测功能可简化符合 ASIL-D 标准的系统的设计。这些功能的参数和阈值可使用 SPI 接口进行配置，因此该器件几乎可与任何 SiC MOSFET 或 IGBT 一同使用。
| Number of channels | 1 |
| Isolation rating | Basic |
| Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) | 3750 |
| Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) | 1000 |
| Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) | 5250 |
| Power switch | IGBT, SiCFET |
| Peak output current (A) | 30 |
| Features | Active miller clamp, Disable, Enable, Fault reporting, High CMTI, Power good, Programmable dead time, Short circuit protection, Soft turn-off, Two-level turn-off |
| Output VCC/VDD (max) (V) | 30 |
| Output VCC/VDD (min) (V) | 15 |
| Input VCC (min) (V) | 3 |
| Input VCC (max) (V) | 5.5 |
| TI functional safety category | Functional Safety-Compliant |
| Propagation delay time (µs) | 0.15 |
| Input threshold | CMOS |
| Operating temperature range (°C) | -40 to 125 |
| Rating | Automotive |
| Bus voltage (max) (V) | 1000 |
| Rise time (ns) | 150 |
| Fall time (ns) | 150 |
| Undervoltage lockout (typ) (V) | Programmable |
| SSOP (DWJ) | 36 | 131.84 mm² 12.8 x 10.3 |
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