UCC5390-Q1 是一款单通道隔离式栅极驱动器，具有 10A 峰值拉电流和 10A 峰值灌电流旨在驱动 MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET。UCC5390-Q1 的 UVLO2 以 GND2 为基准，从而有利于使用双极电源并优化 SiC 和 IGBT 开关行为和稳健性。
UCC5390-Q1 采用 8.5mm SOIC-8 (DWV) 封装，可支持高达 5kVRMS 的隔离电压。输入侧通过 SiO2 电容隔离技术与输出侧相隔离，隔离层寿命超过 40 年。凭借高驱动强度和真正的 UVLO 检测，该器件非常适用于在车载充电器和牵引逆变器等 应用 中驱动 IGBT 和 SiC MOSFET。
与光耦合器相比，UCC5390-Q1 的部件间偏移更低，传播延迟更小，工作温度更高，并且 CMTI 更高。
| Number of channels | 1 |
| Isolation rating | Reinforced |
| Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) | 5000 |
| Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) | 2121 |
| Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) | 7000 |
| Power switch | IGBT, MOSFET, SiCFET |
| Peak output current (A) | 17 |
| Features | UVLO reference to ground |
| Output VCC/VDD (max) (V) | 33 |
| Output VCC/VDD (min) (V) | 13.2 |
| Input VCC (min) (V) | 3 |
| Input VCC (max) (V) | 15 |
| TI functional safety category | Functional Safety-Capable |
| Propagation delay time (µs) | 0.065 |
| Input threshold | CMOS |
| Operating temperature range (°C) | -40 to 125 |
| Rating | Automotive |
| Bus voltage (max) (V) | 2121 |
| Rise time (ns) | 26 |
| Fall time (ns) | 22 |
| Undervoltage lockout (typ) (V) | 12 |
| SOIC (DWV) | 8 | 67.275 mm² 5.85 x 11.5 |
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