UCC23313 是一款适用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容单通道隔离式栅极驱动器,具有 4.5A 峰值拉电流和 5.3A 峰值灌电流以及 3.75kV RMS 基本隔离额定值。由于具有 33V 的高电源电压范围,因此允许使用双极电源来有效驱动 IGBT 和 SiC 功率 FET。UCC23313 可以驱动低侧和高侧功率 FET。与基于光耦合器的标准栅极驱动器相比,此器件的主要特性可显著提高性能和可靠性,同时在原理图和布局设计中保持引脚对引脚兼容性。性能亮点包括高共模瞬态抗扰度 (CMTI)、低传播延迟和小脉宽失真。严格的过程控制可实现较小的器件间偏移。输入级是仿真二极管 (e-diode),这意味着与光耦合器栅极驱动器中传统的 LED 相比,可靠性和老化特性更为出色。该器件采用扩展型 SO6 封装,爬电距离和间隙大于 8.5mm,塑封材料(材料组 I)的相对漏电起痕指数 (CTI) 大于 600V。UCC23313 具有高性能和高可靠性,因此非常适合用于 所有类型的电机驱动器 、光伏逆变器、工业电源和电器。更高的工作温度为传统光耦合器以前无法支持的应用开辟了机会。
| Number of channels | 1 |
| Isolation rating | Basic |
| Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) | 3750 |
| Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) | 990 |
| Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) | 6000 |
| Power switch | IGBT, MOSFET, SiCFET |
| Peak output current (A) | 4.5 |
| Features | Opto-compatible input |
| Output VCC/VDD (max) (V) | 33 |
| Output VCC/VDD (min) (V) | 14 |
| Input threshold | 4 mA, 4mA |
| Operating temperature range (°C) | -40 to 125 |
| Rating | Catalog |
| Bus voltage (max) (V) | 990 |
| Fall time (ns) | 25 |
| Undervoltage lockout (typ) (V) | 8, 12 |
| SOIC (DWY) | 6 | 53.82 mm² 4.68 x 11.5 |