UCC21732-Q1系列介绍资料

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UCC21732-Q1

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产品详情

UCC21732-Q1 它是一款电隔离单通道栅极驱动器，设计用于高达 1700V 的 SiC MOSFET 和 IGBT，具有先进的保护功能、一流的动态性能和稳健性。

输入侧通过 SiO₂ 电容隔离技术与输出侧相隔离，支持高达 1.5kV_RMS 的工作电压、12.8kV_PK 的浪涌抗扰度，隔离层寿命超过 40 年，并提供较低的器件间偏移和高 CMTI。

单通道 SiC/IGBT 隔离式栅极驱动器
符合面向汽车应用的 AEC-Q100 应用（计划的认证）
高达 1700V 的 SiC MOSFET 和 IGBT
33V 最大输出驱动电压 (VDD-COM)
高峰值驱动电流和高 CMTI
有源米勒钳位
RDY 上的 UVLO（具有电源正常指示功能）
小传播延迟和脉冲/器件间偏移
工作温度范围为 –40°C 至 125°C
安全相关认证（计划）：
- 符合 DIN V VDE V 0884-11 (VDE V 0884-11):2017-01 标准的 8000V_PK V_IOTM 和 2121V_PK V_IORM 增强型隔离
- 符合 UL1577 标准、长达 1 分钟的 5700V_RMS 隔离

Number of channels	1
Isolation rating	Reinforced
Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms)	5700
Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms)	2121
Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK)	8000
Power switch	IGBT, SiCFET
Peak output current (A)	10
Features	Active miller clamp, Fault reporting, Integrated analog to PWM sensor, Power good, Short circuit protection, Soft turn-off, Two-level turn-off
Output VCC/VDD (max) (V)	33
Output VCC/VDD (min) (V)	13
Input VCC (min) (V)	3
Input VCC (max) (V)	5.5
TI functional safety category	Functional Safety Quality-Managed
Propagation delay time (µs)	0.09
Input threshold	CMOS
Operating temperature range (°C)	-40 to 125
Rating	Automotive
Bus voltage (max) (V)	2121
Rise time (ns)	28
Fall time (ns)	24
Undervoltage lockout (typ) (V)	12

SOIC (DW)

106.09 mm² 10.3 x 10.3

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