ISO5852S 器件是一款用于 IGBT 和 MOSFET 的 5.7 kV RMS 增强型隔离栅极驱动器,具有分离输出(OUTH 和 OUTL)以及 2.5A 的拉电流能力和 5A 的灌电流能力。输入端可依靠 2.25V 到 5.5V 的单个电源供电运行。输出侧支持的电源电压范围为 15V 至 30V。两路互补 CMOS 输入控制栅极驱动器输出状态。76ns 的短暂传播时间保证了对于输出级的精确控制。
内置的去饱和 (DESAT) 故障检测功能可识别 IGBT 何时处于过流状态。检测到 DESAT 时,静音逻辑会立即阻断隔离器输出,并启动软关断过程以禁用 OUTH 引脚并将 OUTL 引脚拉至低电平持续 2µs。当 OUTL 引脚达到 2V 时(相对于最大负电源电势 V EE2),栅极驱动器会被“硬”拉至 V EE2 电势,从而立即将 IGBT 关断。
当发生去饱和故障时,器件会通过隔离隔栅发送故障信号,以将输入端的 FLT 输出拉为低电平并阻断隔离器的输入。静音逻辑在软关断期间激活。 FLT 的输出状态将被锁存,并只能在 RDY 引脚变为高电平后通过 RST 输入上的低电平有效脉冲复位。
如果在由双极输出电源供电的正常运行期间关断 IGBT,输出电压会被硬钳位为 V EE2。如果输出电源为单极,那么可采用有源米勒钳位,这种钳位会在一条低阻抗路径上灌入米勒电流,从而防止 IGBT 在高电压瞬态状态下发生动态导通。
栅极驱动器是否准备就绪待运行由两个欠压锁定电路控制,这两个电路会监视输入端和输出端的电源。如果任意一端电源不足,RDY 输出会变为低电平,否则该输出为高电平。
ISO5852S 采用 16 引脚小外形尺寸集成电路 (SOIC) 封装.此器件的额定工作环境温度范围为 -40°C 至 +125°C。
| Number of channels | 1 |
| Isolation rating | Reinforced |
| Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) | 5700 |
| Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) | 2121 |
| Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) | 8000 |
| Power switch | IGBT, MOSFET |
| Peak output current (A) | 5 |
| Features | Active miller clamp, Fault reporting, Power good, Short circuit protection, Soft turn-off, Split output |
| Output VCC/VDD (max) (V) | 30 |
| Output VCC/VDD (min) (V) | 15 |
| Input VCC (min) (V) | 2.25 |
| Input VCC (max) (V) | 5.5 |
| Propagation delay time (µs) | 0.076 |
| Input threshold | CMOS |
| Operating temperature range (°C) | -40 to 125 |
| Rating | Catalog |
| Bus voltage (max) (V) | 2121 |
| Rise time (ns) | 18 |
| Fall time (ns) | 20 |
| Undervoltage lockout (typ) (V) | 12 |
| SOIC (DW) | 16 | 106.09 mm² 10.3 x 10.3 |