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TI(德州仪器) SMV512K32-SP
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SMV512K32-SP

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正在供货

16MB 防辐射 SRAM

产品详情
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  • 参数
  • 封装 | 引脚 | 尺寸

SMV512K32 是一款高性能异步 CMOS SRAM,由 32 位 524,288 个字组成。 可在两种模式:主控或受控间进行引脚选择。 主器件为用户提供了定义的自主 EDAC 擦除选项。 从器件选择采用按要求擦除特性,此特性可由一个主器件启动。 根据用户需要,可提供 3 个读周期和 4 个写周期(描述如下)。

  • 20ns 读取,13.8ns 写入(最大存取时间)
  • 与商用
    512K x 32 SRAM 器件功能兼容
  • 内置 EDAC(错误侦测和校正)以减轻软错误
  • 用于自主校正的内置引擎
  • CMOS 兼容输入和输出电平,3 态双向数据总线
    • 3.3 ± 0.3V I/O,1.8 ± 0.15V 内核
  • 辐射性能 放射耐受性是一个基于最初器件标准的典型值。 辐射数据和批量验收测试可用 - 细节请与厂家联系。
    • 设计使用基底工程和抗辐射 (HBD) 与硅空间技术公司 (SST) 许可协议下的 TM 技术和存储器设计。
    • TID 抗扰度 > 3e5 rad (Si)
    • SER < 5e-17 翻转/位-天
      (使用 EDAC 和擦除的内核) 使用 CREME96 来计算用于与地同步轨道,太阳安静期的 SER。
    • 闭锁抗扰度 > LET = 110 MeV
      (T = 398K)
  • 采用 76 引线陶瓷方形扁平封装
  • 可提供工程评估 (/EM) 样品 这些部件只用于工程评估。 它们的加工工艺为非兼容流程(例如,无预烧过程等),并且只在 25°C 的温度额定值下进行测试。 这些部件不适合于品质检定、生产、辐射测试或飞行使用。 不担保完全军用额定温度
    -55°C 至 125°C 范围内或使用寿命内的部件性能。

Supply voltage (min) (V)3
Supply voltage (max) (V)3.6
Input typeStandard CMOS
Output type3-State
Clock frequency (max) (MHz)22
Operating temperature range (°C)-55 to 125
RatingSpace
CFP (HFG)76517.8426 mm² 25.31 x 20.46
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