瑞萨与Transphorm宣布双方已达成最终协议,根据该协议,瑞萨子公司将以每股5.10美元现金收购Transphorm所有已发行普通股,较Transphorm在2024年1月10日的收盘价溢价约35%,较过去十二个月的成交量加权平均价格溢价约56%,较过去六个月的成交量加权平均价格溢价约78%。此次交易对Transphorm的估值约为3.39亿美元。此次收购将为瑞萨提供GaN(功率半导体的下一代关键材料)的内部技术,从而扩展其在电动汽车、计算(数据中心、人工智能、基础设施)、可再生能源、工业电源以及快速充电器/适配器等快速增长市场的业务范围。
Transphorm CEO Primit Parikh博士及瑞萨CEO柴田英利
作为碳中和的基石,对高效电力系统的需求正在不断增加。为了应对这一趋势,相关产业正在向以碳化硅(SiC)和GaN为代表的宽禁带(WBG)材料过渡。这些先进材料比传统硅基器件具备更广泛的电压和开关频率范围。在此势头下,瑞萨已宣布建立一条内部SiC生产线,并签署了为期10年的SiC晶圆供应协议。
瑞萨现目标是利用Transphorm在GaN方面的专业知识进一步扩展其WBG产品阵容。GaN是一种新兴材料,可实现更高的开关频率、更低的功率损耗和更小的外形尺寸。这些优势使客户的系统具有更高效、更小、更轻的结构以及更低的总体成本。也因此,根据行业研究,GaN的需求预计每年将增长50%以上。瑞萨将采用Transphorm的汽车级GaN技术来开发新的增强型电源解决方案,例如用于电动汽车的X-in-1动力总成解决方案,以及面向计算、能源、工业和消费应用的解决方案。