Micron镁光

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MT25QL128ABA1ESE-0SIT

产品分类：NOR FLASH

功能类型：微米系列NOR闪存

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MT41K256M16TW-107:P

产品分类：DDR SDRAM

功能类型：SDRAM的低电压版

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MT29F2G01ABAGDWB-IT:G

产品分类：NAND FLASH

功能类型：闪存 NAND 存储器

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MT25QL128ABA1EW9-0SIT

产品分类：NOR FLASH

功能类型：FLASH - NOR 存储器

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MT41K128M16JT-125:K

产品分类：DDR SDRAM

功能类型：SDRAM-DDR3L存储器

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MT25QU01GBBB8ESF-0SIT

产品分类：NOR FLASH

功能类型：FLASH - NOR 存储器

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MT28EW01GABA1HJS-0SIT

产品分类：NOR FLASH

功能类型：FLASH - NOR 存储器

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MT47H128M16RT-25E

产品分类：DDR SDRAM

功能类型：SDRAM-DDR2 存储器

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MT25QL512ABB1EW9-0SIT

产品分类：NOR FLASH

功能类型：FLASH - NOR

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MT25QU128ABA1ESE-0SIT

产品分类：NOR FLASH

功能类型：FLASH - NOR 存储器

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特色产品

AR0130数字图像传感器CMOS

AR0130是一个1/3英寸CMOS数字图像传感器SOR与活动像素阵列1280Hx960V。它的上限用滚动震动读出的图像。包括复杂的相机功能，如自动曝光控制、开窗以及视频和单帧模式。它是通过一个简单的双线可编程的串行接口。 AR0130产生了异常清晰、锐利的数码图片及其捕捉的能力连续视频和单帧使其成为适合广泛应用的完美选择，包括游戏系统、监控和高清视频。

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M25P16串行闪存NOR FLASH

M25P16是16Mb (2Mb x 8)串行闪存设备，有先进的写保护机制，通过高速spi兼容总线访问。支持时钟频率高达75MHz的高性能命令。使用PAGE PROGRAM命令一次可以对内存进行1到256字节的编程。它被组织成32个扇区，每个扇区包含256页。每个页面是256字节宽。内存可以被视为8,192页或2,097152字节。可以使用BULK ERASE命令擦除整个内存，也可以使用sector ERASE命令一次擦除一个扇区。

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品牌介绍

Micron镁光

Micron镁光科技公司（Micron Technology, Inc.），公司级建于1978年，总部位于美国爱德荷州，Micron是全球第二大内存颗粒芯片厂，美国500强企业，全球领先的高级半导体解决方案提供商之一。Micron镁光是全球储器龙头存厂商，Micron镁光主要业务为生产多种形式的半导体器件，包括动态随机存取存储器，闪存和固态驱动器；其主要产品包括DRAM、NAND快闪存储器、CMOS影像感测器、其它半导体元件和内存模组。产品在国内极少现身，这是因为美光很少将自己的优质颗粒卖给其他内存品牌。其极品颗粒供自家DIY品牌Crucial使用及品牌机OEM市场。在IBM.COMPAQ.HP.Dell等国际知名品牌都可以看到其内存颗粒的产品。可知其稳定性及超频性好。

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应用场景

工业应用
通讯应用
消费电子
智能家居
新能量汽车
智能与安全

相关资源

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美光低功耗内存解决方案助力高通第二代骁龙XR2平台 Micron美光科技宣布，其低功耗 LPDDR5X DRAM 和通用闪存 UFS 3.1 嵌入式解决方案现已通过高通 (Qualcomm Technologies) 最新的扩展现实 (XR) 平台——第二代骁龙™ XR2 验证。美光 LPDDR5X 和 UFS 3.1 外形尺寸紧凑，提供更高速率、更优性能和更低功耗，可灵活支持混合现实 (MR) 和虚拟现实 (VR) 设备。LPDDR5X 是目前美光最先进的低功耗内存，通过创新的 1α 制程节点技术和 JEDEC 能效优化实现更低功耗。全球增强现实(AR)和虚拟现实(VR)市场规模从 2021 年1起，以 24% 的复合年均增长率成长，预计在 2030 年前有望达到 2,000 亿美元。美光嵌入式产品可为扩展现实应用提供强大的即用解决方案，加速消费者普及，并不断拓展市场潜力。美光 LPDDR5X 和 UFS 3.1 能够在多个应用和传感器间实现并行处理，通过无缝集成元宇宙中不断变化的形态、位置和感知，为 VR 用户打造真实的沉浸式体验。美光 LPDDR5X 可实现高达 8.533 Gbps 的峰值速率，同时向后兼容 6.4 Gbps 速率的 LPDDR5，在降低功耗的同时，为设备制造商提供了平台集成的灵活性。美光副总裁暨嵌入式市场总经理 Chris Jacobs 表示： “元宇宙蕴藏着巨大潜力，将彻底改变我们的工作和娱乐方式。要将这种创新变为现实，我们需要高性能、低功耗的硬件，以满足混合现实体验对超快速度的要求。美光 LPDDR5X 和 UFS 3.1 解决方案是下一代 XR 设备的理想之选，为开启丰富的虚拟世界体验提供所需的性能和功耗。” 今年 9 月 27 日最新发布的第二代骁龙 XR2 处理器通过与 Meta 密切合作开发，已在 Meta 最新推出的头显 Meta Quest 3 上首次投入商用。第二代骁龙 XR2 平台提供单芯片架构，可在更轻薄、更舒适且无需外置电池组的头显中实现全新的沉浸式 MR 和 VR 体验。Meta Quest 3 空间计算平台能提供无延迟的体验，带来令人惊叹的视觉效果和身临其境的音效，使用户感受到虚拟内容与现实世界的融合，并实现 MR 和 VR 体验之间的无缝转换。与上一代产品相比，LPDDR5X 的功耗降低了 24%2，通过延长电池续航时间，实现了更出色的用户体验，是 MR 和 VR 头显设备的理想之选。美光 LPDDR5X 可实现 8.533 Gbps 的峰值数据传输速率，使元宇宙应用的数据访问速度提高了 33%3，从而缩短了响应时间。美光基于 1α 制程节点的 LPDDR5X 内存，可为扩展现实设备提供更出色的容量密度、性能和能效。美光 UFS 3.1 客户端存储是全球首款采用美光 176 层 NAND 技术的 UFS，拥有紧凑的外形尺寸和高存储密度，为 MR 和 VR 头显等小型设备提供更高的设计灵活性。美光 128GB UFS 3.1 和 8GB LPDDR5X 现已通过高通骁龙平台验证，并由美光销售渠道、经销商及合作伙伴向 MR 生态系统供货。 1根据 Prescient & Strategic Intelligence 公司的 AR 和 VR 市场报告：按类型(AR，VR)，产品(硬件，软件)，设备类型(AR 设备，VR 设备)，应用领域(消费端，商业端，企业端)- 2030年前行业分析和增长预测 2在模拟测试中，与上一代 LPDDR5 (6.4 Gbps) 相比，峰值数据传输速率 (8.533 Gbps) 状态下的 LPDDR5X 功耗更低 3根据已公布的 JEDEC 规范 (8.533/6.4 = 1.33)，将 LPDDR5X (8.533 Gbps) 和上一代 LPDDR5 (6.4 Gbps) DRAM 的峰值数据传输速率进行对比

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Micron美光宣布开始送样增强版通用闪存UFS 4.0 Micron美光科技股份有限公司，宣布开始送样增强版通用闪存(UFS) 4.0 移动解决方案，该方案具有突破性专有固件功能并采用业界领先的紧凑型 UFS 封装 (9 x 13mm) 。基于先进的 232 层 3D NAND 技术，美光 UFS 4.0 解决方案可实现高达 1 TB 容量，其卓越性能和端到端技术创新将助力旗舰智能手机实现更快的响应速度和更灵敏的使用体验。美光 UFS 4.0 的顺序读取速度和顺序写入速度分别高达 4300 MBps 和 4000 MBps，较前代产品相比性能1提升一倍，为数据密集型应用提供了更出色的使用体验。凭借高速性能，用户能更快地启动常用的生产力、创意和新兴 AI 应用。生成式 AI 应用中的大语言模型加载速度可提高 40%2，为用户与 AI 数字助手的对话提供更流畅的使用体验。美光最新推出的 UFS 4.0 解决方案采用业界领先的紧凑型 UFS 封装，在降低功耗的同时可提供一流的存储性能。该解决方案凭借突破性的固件升级，使智能手机始终保持出厂时的流畅运行状态，同时通过更强的性能、灵活性和可扩展性，进一步提升了移动存储性能标准，助力智能手机加速普及生成式 AI 功能。紧凑的封装设计为超薄节能型智能手机奠定基础自去年 6 月推出 11mm x 13mm 封装规格的 UFS 4.0 解决方案后，美光进一步缩小 UFS 4.0 的外形规格以实现更紧凑的 9mm x 13mm 托管型 NAND 封装。尺寸更小巧的 UFS 4.0 为下一代折叠及超薄智能手机设计带来了更多可能性，制造商可利用节省出来的空间放置更大容量的电池。此外，新版UFS 4.0解决方案可将能效提升 25%3，使用户在运行 AI、AR、游戏和多媒体等耗电量高的应用时获得更长的续航时间。美光专有固件创新，进一步提升移动闪存标准此次增强版 UFS 4.0 基于美光去年量产的 UFS 4.0 产品，可提供多项专有固件更新功能，包括： • 高性能模式 (HPM)：该专有功能通过优先处理关键任务而非后台任务，以提升智能手机在密集使用期间的性能。开启 HPM 后，存储访问速度可提升一倍，助力手机在启动多应用时速度提升超过 25%4。 • 一键刷新 (OBR)：OBR 功能通过自动清理和优化数据，帮助用户获得更持久的卓越性能，使智能手机始终保持宛如全新状态的流畅运行体验。更快的读/写性能可提升10% 的应用启动速度5，实现更快的相册访问速度和流畅的多任务处理，为用户提供更好的体验。 • 分区 UFS (ZUFS)：美光 UFS 4.0 现支持主机指定不同的数据存储区域，以提升设备的长期使用体验。ZUFS 能够有效应对写入放大现象，在不降低设备性能的前提下，尽可能利用有限的编程和擦除周期，从而延长智能手机使用寿命，并长期保持流畅的使用体验。美光工程师团队在其全球实验室中通过预测新兴使用场景、模拟现实应用环境以及与客户密切协作收集反馈，成功打造出这些创新的固件功能。在位于美国、中国和韩国的客户联合实验室中，美光与智能手机厂商密切合作，通过了解厂商面临的痛点问题，开发具有针对性的解决方案来解决技术瓶颈。美光增强版 UFS 4.0 现已出样，并提供 256 GB、512GB 和 1TB 的容量选项。扩展的容量可支持旗舰智能手机容纳设备端 AI 助手分析和生成的所有数据，以及用户不断增加的图片素材，释放 AI 的优势并获得比云存储更高的安全性。通过本地数据存储，用户能够在离线或网络信号不稳定的情况下随时访问个人数据，从强大的 AI 功能中受益。

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万联芯城成立于2014年1月2日，隶属于深圳市万联芯科技有限公司，是中国首批尝试开发电子元器件小批量采购的垂直电商平台之一；万联芯城以“让供应链更高效，让智造更简单”为使命驱动，可为中小制造终端用户提供元器件现货、BOM配单、PCBA制造等一站式电子制造解决方案。

自创立以来，万联芯城一直坚守着“以良心做好良芯”的理念，相继获得航顺芯片、川土微电子、先科ST、顺络电子、日电产科宝、长电科技、厚声、金升阳、日本东信工业、长江连接器等30余家国内外知名原厂的授权代理资格。万联芯坚持“一切以用户为中心”的服务理念，服务客户数超过50000家，覆盖工业控制、通信、物联网、医疗、汽车等行业。

万联芯城先后获得国家高新技术企业、深圳市电子商会“副会长单位”、深圳市电子商会“优秀...

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