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航顺芯片HK32F030R8T6
产品分类:MCU
功能类型:32位RISC处理器
航顺芯片HK32F103C8T6
产品分类:MCU
功能类型:32位RISC内核
航顺芯片HT1621
产品分类:LCD驱动
功能类型:128 点阵式存储器映 射
航顺芯片HK32F030MF4P6
产品分类:MCU
功能类型:ARM®CortexTM-M0
航顺芯片HK32F030F4P6
产品分类:MCU
功能类型:嵌入式32位RISC处理器
航顺芯片HK32F103CBT6
产品分类:MCU
功能类型:ARM的Cortex™-M3
航顺芯片HK32F103VET6
产品分类:MCU
功能类型:ARM®CortexTM-M3
航顺芯片HK32F030C8T6
产品分类:MCU
功能类型:ARM Cortex-M0内核
航顺芯片HK32F103R8T6
产品分类:MCU
功能类型:ARM®CortexTM-M3
航顺芯片HK32F103RBT6
产品分类:MCU
功能类型:ARM®CortexTM-M3

特色产品

航顺芯片HK32MCU大容量的32位MCU芯片
HK32F103系列使用高性能ARM®CortexTM-M332位的RISC内核,最高工作频率96MHz,内置高达128KBFLASH、20KBSRAM,1个高性能计时器,3个通用计时器,2个SPI串行同步通讯接口,2个I2C串行通讯接口,3个USART串行异步通讯接口,1个USB2.0FullSpeed串行通信接口,1个CAN总线控制器,2个12位SAR模拟数字转换器,1个片内温度传感器。
航顺芯片HK32F030M高性价比单片机的战斗机
HK32F030M系列使用ARM®CortexTM-M0内核,最高工作频率32MHz,内置16K-ByteFLASH、448-ByteEEPROM和2-KByteSRAM。通过FLASH控制器的寄存器配置,可实现中断向量在16K-Byte空间内的重映射。HK32F030M除电源、地以外的所有引脚都可以作为GPIO、外设IO或外部中断输入(TSSOP20封装产品支持16个GPIO);在引脚数量受限应用场景中最大可能的提供引脚信号数量。

品牌介绍

航顺芯片

航顺芯片2013年成立于深圳,在成都和上海设立分公司和办事处,航顺芯片作为世界顶级CPU研发团队,航顺芯片所打造的通用MCU平台级企业,航顺将孵化超过100+专用领域MCU原厂。致力以“车规SoC+高端MCU超市双战略、让万物互联更智慧让智慧生活更美好”为使命,实现“HK32MCU为核心、打造航顺无边界生态平台级企业”的伟大愿景。

航顺芯片已量产数/模混合8寸130nm至12寸40nm七种工艺平台,ARM及RISC-V等十二大家族百余款工业/商业/车规级、通用/专用/定制化32位MCU。航顺芯片HK32MCU分为经济型、主流型、低能耗型、高性能型、专用型和创新型,大批量应用于汽车、工业、家电、物联网等数千家客户。 航顺芯片共计完成八轮战略融资合计数亿元,连续获得深圳市科学技术二等奖、胡润全球独角兽、中国IC独角兽、国家级专精特新小巨人、国家级高新技术企业、深圳领袖企业100强、深创赛总决赛亚军等。与国内众多高校及

航顺芯片

应用场景

  • 航顺芯片工业控制

    工业控制

  • 航顺芯片智慧家庭

    智慧家庭

  • 航顺芯片物联网

    物联网

  • 航顺芯片汽车电子

    汽车电子

  • 航顺芯片医疗电子

    医疗电子

  • 航顺芯片电机驱动

    电机驱动

相关资源

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航顺HK32ASPIN02x电机家族高低压水泵方案 随着物联网、人工智能等技术的不断成熟,水泵智能化程度不断提高,可以实现自动监测、远程控制等功能,大大提高了水泵的运行效率和便捷性。同时,水泵节能技术得到广泛关注。 例如采用变频调速技术,将水泵的输出功率根据实际需求进行调整,从而减少能源消耗,达到节能的目的。水泵产品根据用户不同需求和应用领域,可提供多种类型和规格的水泵产品,满足特定应用的需求。为了减少环境污染和资源浪费,新型的水泵产品越来越注重环保性能,例如采用低噪声设计,减小水泵运行时产生的噪音;采用无铅材料,减少对环境的影响等。在水泵的设计中,由于采用变频调速技术、低噪声和节能设计,因此在电机方面一般采用直流无刷电机。   对此,航顺推出基于HK32ASPIN02x系列高低压水泵电机控制方案,该方案集成度、长寿命、高稳定性,能够满足不同应用场景的设计需求。 借助HK32ASPIN02x的特性,使得本方案具有高效率、低噪音、高可靠性以及高动态响应等特点。 方案高压水泵板 方案系统框图技术优势 ●32位Arm Cortex-M0内核,最高80MHz ●Flash高达64KB,SRAM高达8KB ●12 位双路采保 SAR ADC(最多 16 路模拟信号输入通道) ●16 位电机专用高级定时器(TIM1)  ●支持2.0A/2.0B CAN ●支持6 路 UART ●片上振荡器和锁相环 ●除法和开方运算单元(DVSQ) ●内置2个独立OPA,3路比较器 ●电机加速硬件单元(支持 Cordic、用于正余弦计算,Clarke、Park 和反 Park  数学运算,支持 1 路高速电机数据传输通道Trace) ●Sensorless FOC,节省hall成本; ●过压、欠压、短路、缺相、过流、过温保护; ●支持CAN通讯和CAN升级; ●支持PWM调速。   航顺推出的全新HK32ASPIN02x系列电机专用MCU产品,是一款基于32位ARM Cortex-M0内核的高性能MCU。 具有如下特点: 1. 高集成度:电机专用芯片通常集成了多种功能模块,可以大大减少系统复杂度和空间占用。 2. 高性能:电机专用芯片采用先进的控制算法和驱动技术,可以实现高速、高精度、高效率的电机控制。 3. 丰富的PWM输出:通过PWM输出可以实现对电机的精准控制,因此电机专用MCU通常提供多个、高分辨率的PWM输出。 4. 多种保护功能:电机控制中常常需要考虑过流、过热、过压等问题,因此电机专用MCU通常具备多种保护功能,以保证电机及其驱动系统的安全性和稳定性。 5. 丰富的接口资源:电机控制涉及到多种外设的连接和数据交换,因此电机专用MCU通常提供丰富的接口资源,包括UART、SPI、CAN等通信接口。 6. 可编程性:电机专用芯片支持软件编程,可以根据不同的应用需求进行定制化开发。 7. 低功耗:电机专用芯片采用低功耗设计,可以延长系统使用时间并降低能耗成本。  
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航顺HK32MCU闩锁效应问题探究及预防措施   闩锁效应简介   可控管(SCR)是一种PNPN结构,是CMOS工艺的固有结构之一,它由NMOS的有源区、P衬底、N阱、PMOS的有源区构成SCR结构(PNPN结构),当其中一个三极管正偏时,就会构成正反馈形成闩锁。闩锁效应是CMOS工艺所特有的寄生效应,严重会导致电路的失效,甚至烧毁芯片。避免闩锁的方法就是要减小衬底和N阱的寄生电阻,使寄生的三极管不会处于正偏状态。   静电是一种看不见的破坏力,会对电子元器件产生影响。静电放电(ESD)和相关的电压瞬变都会引起闩锁效应(latch-up),是半导体器件失效的主要原因之一。应该看到,如果有一个强电场施加在器件结构中的氧化物薄膜上,则该氧化物薄膜就会因介质击穿而损坏。很细的金属化迹线会由于大电流而损坏,并会由于浪涌电流造成的过热而形成开路。这就是所谓的“闩锁效应”。在闩锁情况下,器件在电源与地之间形成短路,造成大电流、EOS(电过载)和器件损坏。   由于MOS工艺含有许多内在的双极型晶体管,在CMOS工艺下,阱与衬底结合会导致寄生的n-p-n-p结构。这些结构会导致VDD和VSS线的短路,从而通常会破坏芯片,或者引起系统错误。   闩锁效应原理   如下图所示,Q1为一垂直式PNP BJT(双极结型晶体管), 基极(base)是nwell, 基极到集电极(collector)的增益可达数百倍;Q2是一侧面式的NPN BJT,基极为P substrate,到集电极的增益可达数十倍;其中,Rwell是nwell的寄生电阻;Rsub是substrate电阻。   原理示意图   闩锁效应的产生机理   ①以上四元件构成可控硅(SCR)电路,当无外界干扰未引起触发时,两个BJT处于截止状态,集电极电流是C-B的反向漏电流构成,电流增益非常小,此时Latch up不会产生。②当其中一个BJT的集电极电流受外部干扰突然增加到一定值时,会反馈至另一个BJT,从而使两个BJT因触发而导通(通常情况下是PNP比较容易触发起来),VDD至GND(VSS)间形成低抗通路。之后就算外界干扰消失,由于两三极管之间形成正反馈,还是会有电源和地之间的漏电,即锁定状态。闩锁效应(latch-up)由此而产生。   闩锁效应触发场景模拟   航顺HK32MCU的HK32F0系列和HK32F1系列之软硬件都兼容国外品牌MCU,已大批量应用于各种电子产品中。其工作电压支持2.0V~5.5V,为了方便模拟触发闩锁效应(latch-up),下面几个应用场景测试条件都是VCC=5.5V的工作电压。   场景一   测试条件:VCC=5.5V,VCC脚没有去耦电容,所有GPIO悬空。   测试方法:给VCC快速上电   测试结果:触发闩锁效应(latch-up)   分析:如下图所示,VCC上电速度符合要求,理论不会触发Latch up,但从上电波形上看,上电后VCC有过冲至6V~7V,甚至更高,推测过冲触发闩锁效应(latch-up)。   场景一:VCC波形图   场景二   测试条件:VCC=5.5V,VCC脚有0.1uF去耦电容,所有GPIO悬空。   测试方法:给VCC快速上电   测试结果:触发闩锁效应(latch-up)   分析:VCC上电速度符合要求,但从上电波形上看,上电后VCC有过冲现象,甚至比场景一更严重,推测过冲触发闩锁效应(latch-up)。   场景二:VCC波形图   场景三   测试条件:VCC=5.5V,VCC脚有0.1uF+1uF去耦电容,所有GPIO悬空。   测试方法:给VCC快速上电   测试结果:触发闩锁效应(latch-up)   分析:VCC上电速度符合要求,但从上电波形上看,上电后VCC仍有过冲至6V~7V现象,和接0.1uF去耦电容差别不大,推测过冲触发闩锁效应(latch-up)。   场景三:VCC波形图   场景四   测试条件:VCC=5.5V,VCC脚有0.1uF+1uF去耦电容,所有GPIO悬空。   测试方法:给VCC快速下电(模拟外部强负载情形)   测试结果:触发闩锁效应(latch-up)   分析:VCC电压快速跌落,形成VCC下冲至过低现象,推测下冲触发闩锁效应(latch-up)。由于触发了闩锁效应(latch-up)以及设置了200mA限流, VCC无法重新恢复到5.5V。   场景四:VCC波形图   场景五   测试条件:VCC=5.5V,VCC脚有0.1uF+1uF去耦电容,并串有1欧姆电阻,将某IO口直接接到电源。   测试方法:给VCC快速上电   测试结果:触发闩锁效应(latch-up)   分析:上电瞬间,IO口电压高于VCC,容易触发Latch up。   场景五:电路图   以上五种场景都是可能触发闩锁效应(latch-up)问题的场景,改善措施及参考原理图如下:   1. 抑制MCU端VCC在上电或下电瞬间产生过冲或下冲现象,在电源和芯片VCC之间串入1欧姆电阻,并在芯片VCC上加0.1uF和1uF去耦电容。   2.避免默认需要高电平的IO口直接接到电源现象,需要通过1K或以上的上拉电阻上拉至电源。   参考原理图   通过以上改善措施,测得VCC电源波形如下,由于有电阻和电容的抑制,VCC上没有出现过冲现象,测试结果完全不会触发触发闩锁效应(latch-up)。      改善后的VCC波形   闩锁效应预防措施总结   从上述闩锁效应的产生机理、触发场景模拟和改善措施的测试结果可以看到,触发闩锁效应(latch-up)问题的有很多的因素,要防止闩锁效应(latch-up),大致有两方面措施:一是从芯片的角度讲,可以通过芯片工艺的改进和设计的优化来消除闩锁的危险,二是从应用的角度讲,可以通过一些预防措施,降低触发闩锁效应(latch-up)的几率,具体如:   1)在输入端和输出端加钳位电路,使输入和输出不超过规定电压。   2)芯片的电源输入端加去耦电容,防止VCC端出现瞬间的高压。   3)在VCC和外电源之间加限流电阻,即使有大的电流也不让它进去。   4)当系统由几个电源分别供电时,开关要按下列顺序:开启时,先开启CMOS电路的电源,再开启输入信号和负载的电源;关闭时,先关闭输入信号和负载的电源,再关闭CMOS电路的电源。

万联芯城

万联芯城成立于2014年1月2日,隶属于深圳市万联芯科技有限公司,是中国首批尝试开发电子元器件小批量采购的垂直电商平台之一;万联芯城以“让供应链更高效,让智造更简单”为使命驱动,可为中小制造终端用户提供元器件现货、BOM配单、PCBA制造等一站式电子制造解决方案。

自创立以来,万联芯城一直坚守着“以良心做好良芯”的理念,相继获得航顺芯片、川土微电子、先科ST、顺络电子、日电产科宝、长电科技、厚声、金升阳、日本东信工业、长江连接器等30余家国内外知名原厂的授权代理资格。 万联芯坚持“一切以用户为中心”的服务理念,服务客户数超过50000家,覆盖工业控制、通信、物联网、医疗、汽车等行业。

万联芯城先后获得国家高新技术企业、深圳市电子商会“副会长单位”、深圳市电子商会“优秀...

万联芯城logo
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