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航顺高工艺40nm NOR FLAS芯HK25Q20和HK25Q16
2023-03-02 925次

  NOR FLASH是很常见的一种存储芯片,数据掉电不会丢失,读取速度快,且支持可擦除写入。NOR FLASH支持Execute OnChip,及程序可以自接在FLASH中运行。

  作为初始代码的载体,NOR被广泛应用于各个智能化领域。主板BIOS、数字机顶盒、家庭网关、路由器、loT、汽车电子、穿戴式设备、安防监控、人工智能等领域的代码存储媒介中都有NOR。其中,智能穿戴、AMOLED屏、手机摄像、loT设备、汽车电子、5G基站、增强现实、虚拟现实具备较大增长空间。


航顺高工艺40nm NOR FLAS芯HK25Q20和HK25Q16


  航顺芯片量产基于全球最高工艺40nm NOR FLASH芯片HK25Q20和HK25Q16,目前已批量进入市场应用于各种场景,HK25Q20具有工艺制程高、性能强、成本优势明显等优点,可以PIN TO PIN完美替代目前主流的25Q40等小容量的NOR FLASH应用市场。其他基于以前55nm工艺量产之HK25Q40、HK25Q80、HK25Q32、HK25Q64、HK25Q128等全系列产品正常供货的同时正在加速迭代至40nm中!

  欢迎广大客户联系我们或代理商,诚招有实力资深NOR Flash代理商洽谈合作!


  GENERAL DESCRIPTIONS

  The HK25Q20 (2M-Bit) serial flash supports the standard Serial Peripheral Interface (SPI),and supports the Dual SPI: Serial Clock, Chip Select, Serial Data I/O0 (SI), I/O1 (SO),I/O2 。The Dual I/O & Dual output data is transferred with Maximum speed of 208Mbits/s。

  FEATURES

  ✦ SPI Flash Memories

  – Densities: 2Mbit

  – Standard SPI: SCLK, /CS, SI, SO

  – Dual SPI: SCLK, /CS, IO0, IO1

  ✦ Highest Performance Serial Flash

  – 104MHz for fast read

  – Dual I/O Data transfer up to 208Mbits/s – Minimum 100,000 Program/Erase Cycles

  – More than 20-year data retention

  ✦ Low Power Consumption

  – Single 2.3V to 3.6V supply

  – 0.4μA standby current

  – 0.2μA deep power down current

  – 1.5mA active read current at 33MHz

  – 3.0mA active program or erase current

  ✦ Flexible Architecture

  – Uniform 256-byte Page Erase

  – Uniform 4K-byte Sector Erase – Uniform 32/64K-byte Block Erase

  – Program 1 to 256 byte per programmable page

  ✦ Fast Program and Erase Speed

  – 2ms page program time

  – 15ms page erase time

  – 15ms 4K-byte sector erase time

  – 15ms 32K/64K-byte block erase time

  ✦ Advanced Security Features

  – 128-Bit Unique ID for each device

  – 1*256-Byte Security Registers with OTP Locks

  ✦ Package Information

  – SOP8

  – USON8 (3x2 mm)

  – USON8(1.5x1.5mm)

  – USON6(1.2x1.2mm)

  – TSSOP8

  – KGD

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