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  本篇文章简单介绍IGBT工作时序及门极驱动计算方法，引入大电流驱动IC以及门极保护TVS，同时罗列了不同品牌碳化硅MOSFET所耐受驱动电压，介绍非对称TVS新产品的实用性。

  IGBT工作时序

  如下为典型IGBT驱动时序展开波形：

  T0-阶段：门级电流Ig给Cge充电，此时Vge电压小于阈值电压Vgeth，因此IGBT处于关断状态，Vce电压维持在Vcc。

  T1阶段：当Vge电压超过阈值Vgeth时，IGBT进入开启状态，工作在线性区，Ic电流开始上升到负载电流Icload，而实际工作时，由于续流二极管的存在，其反向恢复电流会叠加到IGBT上，该电流上升会超过负载电流，在Vge达到米勒平台电压前，Vce两端电压为Vcc，有源钳位就是利用IGBT工作在线性区的原理来吸收回路当中多余的能量，这个在TVS有源钳位保护里面有详细的介绍。

  T2阶段：Vge维持在米勒平台电压Vgepl，当续流二极管电流下降为零时，Vce开始急剧下降。

  T3阶段：Vce下降到饱和压降Vcesat，此时驱动电流给Vgc电容充电，Vge维持在米勒平台。

T4阶段：IGBT彻底导通，此时门级电流Ig给Cge充电直到设定的驱动电压，驱动电流下降为零，侧面反映了IGBT属于电压驱动型器件。

  IGBT驱动算法：

  以IGBT为例，规格书通常会给出门极电荷Qg_int，门极输入电容Cies，规格驱动楷体电压Vgon_spec以及关断电压Vgoff_spec，内部驱动电阻Rg_int。以及通过选型设定外部电阻Rg_ext，实际工作驱动电压Vgon_act、关断电压Vgoff_act与开关频率fsw。

  从而可以算出峰值驱动电流Igpk:

  通过初始Qg_int、门极输入电容Cies以及初始门极驱动电压可折算出门极电容系数Kc:

  通过门极电容系数可以反推回去实际驱动电压下所需的门极电荷量Qg_act:

  此时的平均工作电流Ig_av为电荷量与开关频率fsw乘积:

  驱动所需能量Eg_act为：

  根据驱动能量与开关频率可以得出所需的驱动电路功率Pg_act:

  通过简单的算式可以实际驱动电路所需的驱动功率与峰值电流，下图为Littelfuse原IXYS低边驱动IC，其中IXD_600系列峰值电流可以达到30A，可以用于大功率模块以及多分立器件并联的使用。

驱动线路过压保护

  由于线路串扰、感性与容性负载的存在，使得功率器件驱动与功率回路都会受到过压导致的损坏情况，主回路当中可以通过外接缓冲吸收回路，也可以通过门极串联TVS来做有源钳位的方式，门极通过并联TVS的方式可以起到尖峰电压吸收，参考电路图如下。

  门极保护通常会通过并联TVS或者Zener管的方式来实现过压保护，TVS最大优势为其能承受更大的浪涌冲击能力。TVS工作机理如下，为钳位型器件，在浪涌过来后达到其击穿电压，二极管进入雪崩区域，此时吸收浪涌电流急剧增加，而电压能钳制在稳定范围，从而起到良好的过压保护效果。

  Littelfuse工业级TVS产品系列

  从最小封装SOD-123 200W到SMC DO-214AB封装8kW，以及雷击浪涌吸收到10kA的LTKAK系列。

  汽车级产品汇总

  其中最小封装SOD-123 400W以及SMC封装5kW已经量产，SLD5/6/8 DO-263封装兼容DO-218焊盘，最大功率15kw插件产品。

  Littelfuse开发出了小封装SOD-123 400W产品，负压为-5V，正压19V，同时可以根据客户需求调整正向电压，该产品为IGBT与碳化硅MOSFET非对称提供保护，单颗TVS即可实现正负电压的保护，节省占板空间。

  非对称TVS为针对市场提出的新产品，欢迎有兴趣人士沟通、交流以及提供意见。