超级结MOS（Super Junction MOSFET）在微型储能、家用电器、汽车电子和工业控制等应用广泛，但什么样标准的超级结MOS能够为应用场景有效保驾护航，超级结MOS的选型要求及标准主要包括以下几个方面：

电流和电压额定值

电压额定值（VDS）：

MOSFET的漏源电压必须高于电路中的最大工作电压。常见电压等级如600V、650V、700V等应根据具体应用的工作电压来选择。例如，对于微型储能、家用电器设备，650V的MOSFET通常是合适的选择。

电流额定值（ID）：

需要根据应用中的最大负载电流来确定MOSFET的额定电流，确保其能够在最大负载下安全运行。对于微型储能、家用电器，高电流额定值通常能更好地满足大功率需求。

导通电阻（Rds(on)）

低导通电阻：

低导通电阻能够减少导通损耗，提高效率。需要在特定的栅极电压和漏极电流条件下选择具有尽可能低的RDS(on)的MOSFET。例如，时科的SKJ40N65-T7在VGS=10V、ID=20A时的RDS(on)不超过99mΩ，是一个低导通电阻的优秀选择

开关性能

开关速度：

需要选择具有快速开关速度的MOSFET，以适应高频应用。超结eiMOS通常具有较短的上升时间、下降时间和开关延迟时间，适合高频操作。

栅极电荷（Qg）：

低栅极电荷能够降低驱动损耗，提升整体效率。

热管理

热阻（RθJA, RθJC）：

MOSFET的热阻参数决定其散热能力，低热阻能更好地将热量传导出去，防止过热。

封装类型：

选择合适的封装类型（如TO-220、D2PAK、TO-247等）以满足散热和空间要求。例如，SKJ40N65-T7采用TO-247-3封装，具有良好的散热性能。

安全裕度

雪崩能量（EAS）：

确保MOSFET具有足够的雪崩能量能力，以应对意外的过电压情况。

SOA（安全工作区）：

需要在各种工作条件下都能安全运行。

其他关键参数

其他关键参数：

输入电容（Ciss）、输出电容（Coss）和反向恢复时间（trr）：这些参数影响MOSFET的动态性能，选择时需要综合考虑电路的具体要求。超高速体二极管的反向恢复时间快，可以提高整体效率。

超结MOS的选型需要综合考虑电压和电流额定值、导通电阻、开关速度、热管理、安全裕度、寄生参数以及应用的具体需求，选择合适的产品以确保最佳性能和可靠性。通过对上述的认知了解，我们对超级结MOS选型有了标准，那時科又有怎样的超级结MOS能够 安全、低功耗、高性能的为应用场景服务。

SKJ40N65-T7 超级结MOSFET 主要特性

漏源电压（VDS）: 650V

连续漏极电流（ID）: 40A

封装类型: TO-247-3

阈值电压（VGS(th）: 2~4V

导通电阻（RDS(on)）: 在VGS=10V、ID=20A的条件下不超过99mΩ

超高速体二极管: 反向恢复时间更快，提高工作效率

技术优势

低导通电阻: 超级结构技术专门用于最小化导通状态电阻，在高电压下也能保持低导通电阻，有效减少开关损耗。

高开关性能: 优秀的开关性能使其能够在高频应用中表现出色，减少开关损耗，提高整体效率。

高能量耐受: 在雪崩和换相模式下能够承受高能量脉冲，提高器件的可靠性。

超高速体二极管: 反向恢复时间快，进一步提高工作效率，特别适合高频开关电路。

典型应用

01：家用电器

高效率电源管理：低导通电阻和高开关速度减少热量生成，提高整体系统效率。

EMI性能良好：低噪声开关特性有助于减少电磁干扰，适应高标准的显示设备要求。

02：微型储能

高效率和低待机功耗：低RDS(on)和低Qg特性提高充电器效率，减少能耗。

封装和散热能力：TO-247-3封装具有良好的散热性能，适用于高频、高功率输出的产品领域。

03：工业电源

高耐压低阻抗：高耐压和低导通电阻的特性使其能够在电力供应应用中稳定运行，提供可靠的电力传输。