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  汽车市场正在经历一场变革，随着电动汽车(EV)采用率的迅速增加，销售预测数据也在不断上调。电动汽车虽然只占整个市场的一小部分，但据预测，2025年售出的电动汽车将达到1000万辆，到2050年，所有售出的汽车中超过50%是电动汽车。

  xEV车辆的增长和充电基础设施的需求正在加速，在xEV应用中，系统层面涉及主逆变器和发电机、升压转换器、DC-DC转换器、车载充电器;器件封装类型包括分立式、电源模块;功率器件种类有硅MOSFET、硅IGBT、硅BJT(双极晶体管)、碳化硅(SiC)MOSFET和氮化镓(GaN)HEMT等。

  前不久在深圳特展的电动交通论坛上，安森美(onsemi)电源方案部工程师Jerry Yuan先生分享了快速直流充电桩方案如何提升汽车的续航能力。

  安森美的智能电源产品和方案广泛应用于充电桩，当中包括Elite SiC碳化硅方案、IGBT电源模块以及门极驱动器等。丰富的参考设计和支持工具能助工程师简化设计，最大化能效以及减小尺寸。

  借助其出色的物理特性(高饱和电子漂移速度、高热导率和高击穿电场)， SiC MOSFET器件可以实现更低的损耗和更快的开关速度，并且其几何尺寸比硅 (Si) MOSFET更小。

  安森美提供一系列SiC方案支持汽车功能电子化，使客户能够根据其系统要求灵活地选择分立或模块解决方案。产品包括多种SiC二极管、SiC MOSFET、SiC模块以及硅和SiC混合模块。