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| NMC27C16BQE200 |
NMC27C16BQE200
NMC27C16BQE200中文资料第2页精选内容：从WWW.FREETRADEZONE.COM打印，PARTMINER，INC.的服务本材料由其各自的制造商版权所有
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| NM27C256Q150 |
NM27C256Q150
NM27C256Q150中文资料第8页精选内容： 8 WWW.FAIRCHILDSEMI.COM 功能描述 （续）消除特征该设备的擦除特性是擦除的当暴露于波长较短的光线时开始出现大约4000埃（
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| NDT455N |
NDT455N
电气特性 （T 除非另有说明，否则 A = 25°C）符号参数条件敏典型马克斯单位关闭特性 BV DSS漏源击穿电压 V GS = 0 V，I D = 250μA三十 V一世 DSS零栅极电压漏极电流 V DS = 24V，V GS = 0V 1 μA ? J = 55℃ 10 μA一世 GSSF门 - 身体泄漏，向前 V GS = 20V，V DS = 0V 100 NA的一世 GSSR闸门 - 阀体泄漏，倒转 V GS = -20V，V DS = 0V -10...
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| NDS9959 |
NDS9959
NDS9959中文资料第1页精选内容： 1996年2月 NDS9959双N沟道增强型场效应晶体管一般描述特征 _________________________________________________________________________________绝对最大额定值 ? 除非另有说明，否则 A = 25°C符号参数 NDS9959单位 V DSS漏源电压 50 V V GSS门源电压 ±20 V一世 D漏...
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| NMSD200B01-7 |
NMSD200B01-7
NMSD200B01-7中文资料第6页精选内容： DS30911修订版2 - 2 6之8 NMSD200B01 WWW.DIODES.COM ESD保护N-MOSFET（DMN601K）和肖特基势垒二极管 （SD103AWS）集成为NMSD200B01中的一个可以用作一个用于一般应用的离散实体或用作A的一部分电路低侧开关在同步整流器.选择N-MOSFET基于输入电压范围的最大占空比可以是大于45％.肖...
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| NMSD200B01 |
NMSD200B01
NMSD200B01中文资料第1页精选内容：无铅绿色 DS30911修订版2 - 2 1 8 NMSD200B1 WWW.DIODES.COM ? DIODES INCORPORATED特性符号值单元功耗（注3） P D 200毫瓦功率降额因子高于25 C P DER 1.6毫瓦/℃输出电流 我 出去了 200嘛一般描述 @ T A = 25 °C除非另有规定 C一个小号 NC D1 SD103AWS G C_D...
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| NB20K00103MBB |
NB20K00103MBB
NB20K00103MBB中文资料第3页精选内容： 16自动插入包装 NTC片状热敏电阻/ NC / NB系列自动插入 SUPER 8塑料胶带包装：机械和尺寸卷筒的特点在于根据IEC出版物286-3.马克斯 3 °马克斯 3 °马克斯 3 °马克斯 3 °封面胶带三十 μ±5μ ? ? A1 B1 B0 D0 P2 P0 W ^孔 F ? A0 5.5（.217） ±0.2（.008）方向放卷 +0.2（.008） -0 1（.039）...
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| NB20K00103MBE |
NB20K00103MBE
NB20K00103MBE中文资料第2页精选内容： NB 20 IEC尺寸：1206类型 RN在25°C材料 B（K）在25℃下 （ Ω）码 （ B / B ） （％/℃） NB 20 MC 0 221 220 MC 3910±3％ - 4.4 NB 20 MC 0 102 1000 MC 3910±3％ - 4.4 NB 20 J 0 0472 4700 NB 20 J 0 0562 5600 ? 3480±3％ - 3.9 NB 20 J 0 0682 6800 NB 20 J 5 0822 8200 J5 3480±3％ - 3.9 NB 20 K 0 0103万 ? 3630±3％ - 4.0 NB...
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| NJU7118F2 |
NJU7118F2
NJU7118F2中文资料第1页精选内容： 01/03/28（1/3） NJU7118低功耗和低失调电压超小型单C-MOS COMPALATOR ！一般描述 ！包装信息 NJU7118是一款超小型封装单具有开漏输出的C-MOS比较器.工作电压从1V到5.5V，以及接口可以连接大部分TTL和C-MOS型标准逻辑IC.此外，输入失调电压...
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| NSF03A60 |
NSF03A60
轮廓图最大额定值约净重：016G评分符号 NSF03A60单元重复峰值反向电压 V RRM 600 V 1.1 TA = 27 C * 1平均整流输出电流 我 O 3.0 T1 = 79 °C * 2 50HZ半正弦波阻抗负载一个 RMS正向电流 I F（RMS） 4.71一个浪涌正向电流 我 FSM 45 50HZ半正弦波，1周期非重复性一个工作JUNCTIONTEMPERATURE范围 T JW -40到+150 C存储温度范围 T STG -40...
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