| 型号 | 产品信息 | 查看 | 数量 |
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| NRF51822-QFAC |
NRF51822-QFAC |
暂停销售 | |
| NMC27C16BQE200 |
NMC27C16BQE200
NMC27C16BQE200中文资料第2页精选内容：从WWW.FREETRADEZONE.COM打印，PARTMINER，INC.的服务本材料由其各自的制造商版权所有
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| NMC27C16BQ200 |
NMC27C16BQ200
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| NM27LV010V200 |
NM27LV010V200
NM27LV010V200中文资料第8页精选内容： 8 WWW.FAIRCHILDSEMI.COM 功能描述 （续）消除特征该设备的擦除特性是擦除的当暴露于波长较短的光线时开始出现大约4000埃（
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| NM27C256QE200 |
NM27C256QE200
NM27C256QE200中文资料第7页精选内容： 7 WWW.FAIRCHILDSEMI.COM功能说明设备操作表1列出了EPROM的六种操作模式应该注意的是，六种模式的所有输入均处于TTL电平. 所需的电源是V CC 和V PP . V PP 力量在三种编程模式下电源电压必须为12.75V， 在其他三种模式下必须为5V. V CC 电源在三种编程模式下和5V时，必须为6.5V...
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| NM24C02 |
NM24C02
NM24C02中文资料第12页精选内容： 12 WWW.FAIRCHILDSEMI.COM NM24C02 / 03 REV. G小号 ? ? P一个 C ?没有一个 C ?奴隶地址一个 C ?一个 C ?小号 ?一个 [R ?小号 ?一个 [R ?字地址奴隶地址公交车活动：主 SDA线公交车活动： EEPROM数据N小号 ? ? P一个 C ?公交车活动：主 SDA线公交车活动： EEPROM一个 C ? DATA N + X一个 C ? DATA N + 2 DAT...
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| NDT452P |
NDT452P
电气特性 （T 除非另有说明，否则 A = 25°C）符号参数条件敏典型马克斯单位关闭特性 BV DSS漏源击穿电压 V GS = 0V，I D =-250μA -30 V一世 DSS零栅极电压漏极电流 V DS = -24V，V GS = 0V -2 μA ? J = 55℃ -25 μA一世 GSSF门 - 身体泄漏，向前 V GS = 20V，V DS = 0V 100 NA的一世 GSSR闸门 - 阀体泄漏，倒转 V GS = -20V，V DS = 0V -10...
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| NDS9947 |
NDS9947
NDS9947中文资料第1页精选内容： 2002年5月 FAIR2002仙童半导体公司 NDS9947 REV B（W） NDS9947双路20V P沟道POWERTRENCH ? ? ? ?MOSFET一般描述这P沟道MOSFET是一个坚固的门版本飞兆半导体安森美半导体高级的POWERTRENCH处理.它已针对电源管理进行了优化应用需要宽范围的栅极驱动...
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| NS8MT |
NS8MT |
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| NSU03B60 |
NSU03B60
NSU03B60中文资料第1页精选内容：轮廓图最大额定值约净重：016G评分符号 NSU03A60单元重复峰值反向电压 V RRM 600 V 1.1 TA = 25 C * 1平均整流输出电流 我 O 3.0 T1 = 72 °C * 2 50HZ半正弦波阻抗负载一个 RMS正向电流 I F（RMS） 4.71一个浪涌正向电流 我 FSM 35 50HZ半正弦波，1周期...
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