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| PM1012GP |
PM1012GP |
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| PM7545FP |
PM7545FP
PM7545FP中文资料第3页精选内容：
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| PM139AY |
PM139AY
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| P6KE12CA |
P6KE12CA
P6KE12CA中文资料第4页精选内容： P6KE68 P6KE68A P6KE75 P6KE75A 55.10 58.10 60.70 64.10 61.20 64.60 67.50 71.30 74.80 71.40 82.50 78.80 1 1 1 1 98.0 92.0 108.0 103.0 6.1 6.5 5.5 5.8五五五五 P6KE82 P6KE82A P6KE91 P6KE91A 66.40 70.10 73.70 77.80 73.80 77.90 81.90 86.50 90.20 86.10 100.00 95.50 1 1 1 1 118.0 113.0 131.0 125.0 5.1 5.3 4.5 4.8五五五五 P6KE100 P6KE100A P6KE110 P6KE11...
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| PDZ12B |
PDZ12B
PDZ12B中文资料第2页精选内容： PAGE. 2 2012年5月9日 - REV.01 PDZ4.7B?PDZ36B零件号标称齐纳电压最大.齐纳阻抗最大反转泄漏电流印记码 V Z @ I ZT Z ZT @ I ZT Z ZK @ I ZK 我 R @ V R没有MV MI N. V马X. V ?嘛 ?嘛 ?A V 400毫瓦齐纳二极管 PDZ4.7B 4.7 4.55 4.75 90五 600 1 0.75 1.5 Z7 PDZ5.1B 5.1 4.96 5.2 60五 800 0.5 0.75 1.5 Z8 PDZ5.6B 5.6 5.50 5.71 50...
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| P6KE82A |
P6KE82A
P6KE82A中文资料第2页精选内容：工作和存储温度范围 T J ，T STG -65到+175 ℃笔记： 1.根据图3的非重复电流脉冲，按照图2的T A = 25℃ 降低 . 2.装在1.57英寸的铜叶面积上 2 （40MM 2 ）. 3.8.3MS单半正弦波，占空比=每分钟最多4脉冲.额定值和特性曲线P6KE系列 100 10 1.0 0.1 0.1微秒 1.0微秒 10μS 100微秒 1.0MS的 10毫秒不...
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| P6KE47CA |
P6KE47CA
P6KE47CA中文资料第2页精选内容：工作和存储温度范围 T J ，T STG -65到+175 ℃笔记： 1.根据图3的非重复电流脉冲，按照图2的T A = 25℃ 降低 . 2.装在1.57英寸的铜叶面积上 2 （40MM 2 ）. 3.8.3MS单半正弦波，占空比=每分钟最多4脉冲.额定值和特性曲线P6KE系列 100 10 1.0 0.1 0.1微秒 1.0微秒 10μS 100微秒 1.0MS的 10毫秒...
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| P6KE100CA |
P6KE100CA
P6KE100CA中文资料第2页精选内容：工作和存储温度范围 T J ，T STG -65到+175 ℃笔记： 1.根据图3的非重复电流脉冲，按照图2的T A = 25℃ 降低 . 2.装在1.57英寸的铜叶面积上 2 （40MM 2 ）. 3.8.3MS单半正弦波，占空比=每分钟最多4脉冲.额定值和特性曲线P6KE系列 100 10 1.0 0.1 0.1微秒 1.0微秒 10μS 100微秒 1.0MS的 10毫秒...
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| P6KE120CA |
P6KE120CA
P6KE120CA中文资料第2页精选内容：工作和存储温度范围 T J ，T STG -65到+175 ℃笔记： 1.根据图3的非重复电流脉冲，按照图2的T A = 25℃ 降低 . 2.装在1.57英寸的铜叶面积上 2 （40MM 2 ）. 3.8.3MS单半正弦波，占空比=每分钟最多4脉冲.额定值和特性曲线P6KE系列 100 10 1.0 0.1 0.1微秒 1.0微秒 10μS 100微秒 1.0MS的 10毫秒...
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| PCF8582C-2P |
PCF8582C-2P
PCF8582C-2P中文资料第10页精选内容： 1997年2月13日 10飞利浦半导体产品SPECI FI CATION 256到1024 ×8位CMOS EEPROM 我 2个 C总线接口 PCF85XXC-2系列 8.5阅读操作读操作以与写操作相同的方式启动操作，但从机的LSB除外地址被设置为逻辑1.有三种基本的读取操作;目前的地址读取，随机读取和顺序读取顺序读取. 8.5.1 R EM...
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