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| QVA21114 |
QVA21114
QVA21114中文资料第1页精选内容：
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| QTLP282-7 |
QTLP282-7
QTLP282-7中文资料第3页精选内容：
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| QTLP282-3 |
QTLP282-3
QTLP282-3中文资料第1页精选内容：
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| QRE1113.GR |
QRE1113.GR
QRE1113.GR中文资料第2页精选内容： 02年12月9日第2页，共5页 ?2002仙童半导体公司反射物体传感器 QRE1113.GR笔记： 1.在25°C以上线性降低功耗1.33 MW /°C. 2.建议使用RMA通道. 3.建议使用甲醇或异丙醇作为清洁剂. 4.外壳1/16“（1.6MM）的烙铁. 5.脉冲条件：TP = 100μS; T = 10毫秒. 绝对最大额定值 （T A = 25°C除非另有...
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| QEE122 |
QEE122
QEE122中文资料第2页精选内容： 02年4月30日第2页，共4页 ?2002仙童半导体公司塑料红外发光二极管 QEE122 QEE123笔记： 1.在25°C以上线性降低功耗1.33 MW /°C. 2.建议使用RMA通道. 3.建议使用甲醇或异丙醇作为清洁剂. 4.烙铁最少距壳体1/16“（1.6 MM） . 绝对最大额定值 （T A = 25°C除非另有说明）参数符号评分单...
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| Q65110A7516 |
Q65110A7516
Q65110A7516中文资料第6页精选内容： 2009-08-25 6 SFH 4244 MA?ZEICHNUNG包概述大小以毫米（英寸）/尺寸以毫米（英寸）为单位. GEH?USE/软件包 SIDELED ? ，KLARER VERGUSS / SIDELED? ，透明树脂 ANSCHLUSSBELEGUNG引脚配置 KATHODE：ABGESCHR?GTEECKE阴极：斜边 GPLY6880 （R1）阴极标记阴极阳极 （2.4（0.094）） 0.9（0.035） 1.1（0.043）间...
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| Q68000A8000 |
Q68000A8000
Q68000A8000中文资料第5页精选内容： IRL 81 A 2007-08-06五 MA?ZEICHNUNG包概述大小以毫米（英寸）/尺寸以毫米（英寸）为单位.约.重量0.2G EMPFOHLENESL?TPADDESIGN WELLENL?TEN（TTW）推荐的焊盘 TTW焊接大小以毫米（英寸）/尺寸以毫米（英寸）为单位. 4（0.157） OHLPY985
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| Q62702-P5180 |
Q62702-P5180
Q62702-P5180中文资料第1页精选内容： LO R971，LY R971 CHIPLED 2001年3月5日 1 BESONDERE MERKMALE ?GEH?USETYP：0805 ?BESONDERHEIT DES BAUTEILS：极端克莱恩 BAUFORM 2,0 MM X 1,25 MM X 0,8 MM ?WELLENL?NGE：590 NM（GELB），605 NM（橙色） ABSTRAHLWINKEL：EXTREM BREITE ABSTRAHLCHARAKTERISTIK（160°） ?技术：GAASP...
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| Q62703-Q4887 |
Q62703-Q4887
Q62703-Q4887中文资料第6页精选内容： 2001-06-266 LB T673，LV T673，LT T673相对SPEKTRALE发射一世 REL = F （）， T A = 25°C， I F = 20 MA相对光谱辐射 V（）= SPEKTRALE AUGENEMPFINDLICHKEIT标准眼睛反应曲线 ABSTRAHLCHARAKTERISTIK一世 REL = F （ ）辐射特性 0 400真正的绿色 550 450 500 600 650纳米 700 OHL00492一世 20 40 60 80 ％ 100相对佛得...
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| Q62703-Q4502 |
Q62703-Q4502
Q62703-Q4502中文资料第3页精选内容：数据表 3 1999-06-30光电半导体 LSG T670，LSP T670，LSY T670，LOP T670，LYG T670，LYP T670 STREINERUNG DERLICHTST?RKEIN EINER VERPACKUNGSEINHEIT一世 V MAX / I V MIN≤2.0. 1） STREINERUNG DERLICHTST?RKEIN EINER LED一世 V MAX / I V MIN≤3.0（LSG T670，LOG T670，LSY T670）， ≤4.0（LSP T670，LOP T670，LYP T670）. 1） BEI MU...
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