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QVA21114 QVA21114
QVA21114中文资料第1页精选内容:
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QTLP282-7 QTLP282-7
QTLP282-7中文资料第3页精选内容:
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QTLP282-3 QTLP282-3
QTLP282-3中文资料第1页精选内容:
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QRE1113.GR QRE1113.GR
QRE1113.GR中文资料第2页精选内容: 02年12月9日第2页,共5页 ?2002仙童半导体公司反射物体传感器 QRE1113.GR笔记: 1.在25°C以上线性降低功耗1.33 MW /°C. 2.建议使用RMA通道. 3.建议使用甲醇或异丙醇作为清洁剂. 4.外壳1/16“(1.6MM)的烙铁. 5.脉冲条件:TP = 100μS; T = 10毫秒. 绝对最大额定值 (T A = 25°C除非另有...
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QEE122 QEE122
QEE122中文资料第2页精选内容: 02年4月30日第2页,共4页 ?2002仙童半导体公司塑料红外发光二极管 QEE122 QEE123笔记: 1.在25°C以上线性降低功耗1.33 MW /°C. 2.建议使用RMA通道. 3.建议使用甲醇或异丙醇作为清洁剂. 4.烙铁最少距壳体1/16“(1.6 MM) . 绝对最大额定值 (T A = 25°C除非另有说明)参数符号评分单...
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Q65110A7516 Q65110A7516
Q65110A7516中文资料第6页精选内容: 2009-08-25 6 SFH 4244 MA?ZEICHNUNG包概述大小以毫米(英寸)/尺寸以毫米(英寸)为单位. GEH?USE/软件包 SIDELED ? ,KLARER VERGUSS / SIDELED? ,透明树脂 ANSCHLUSSBELEGUNG引脚配置 KATHODE:ABGESCHR?GTEECKE阴极:斜边 GPLY6880 (R1)阴极标记阴极阳极 (2.4(0.094)) 0.9(0.035) 1.1(0.043)间...
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Q68000A8000 Q68000A8000
Q68000A8000中文资料第5页精选内容: IRL 81 A 2007-08-06五 MA?ZEICHNUNG包概述大小以毫米(英寸)/尺寸以毫米(英寸)为单位.约.重量0.2G EMPFOHLENESL?TPADDESIGN WELLENL?TEN(TTW)推荐的焊盘 TTW焊接大小以毫米(英寸)/尺寸以毫米(英寸)为单位. 4(0.157) OHLPY985
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Q62702-P5180 Q62702-P5180
Q62702-P5180中文资料第1页精选内容: LO R971,LY R971 CHIPLED 2001年3月5日 1 BESONDERE MERKMALE ?GEH?USETYP:0805 ?BESONDERHEIT DES BAUTEILS:极端克莱恩 BAUFORM 2,0 MM X 1,25 MM X 0,8 MM ?WELLENL?NGE:590 NM(GELB),605 NM(橙色) ABSTRAHLWINKEL:EXTREM BREITE ABSTRAHLCHARAKTERISTIK(160°) ?技术:GAASP...
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Q62703-Q4887 Q62703-Q4887
Q62703-Q4887中文资料第6页精选内容: 2001-06-266 LB T673,LV T673,LT T673相对SPEKTRALE发射一世 REL = F (), T A = 25°C, I F = 20 MA相对光谱辐射 V()= SPEKTRALE AUGENEMPFINDLICHKEIT标准眼睛反应曲线 ABSTRAHLCHARAKTERISTIK一世 REL = F ( )辐射特性 0 400真正的绿色 550 450 500 600 650纳米 700 OHL00492一世 20 40 60 80 % 100相对佛得...
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Q62703-Q4502 Q62703-Q4502
Q62703-Q4502中文资料第3页精选内容:数据表 3 1999-06-30光电半导体 LSG T670,LSP T670,LSY T670,LOP T670,LYG T670,LYP T670 STREINERUNG DERLICHTST?RKEIN EINER VERPACKUNGSEINHEIT一世 V MAX / I V MIN≤2.0. 1) STREINERUNG DERLICHTST?RKEIN EINER LED一世 V MAX / I V MIN≤3.0(LSG T670,LOG T670,LSY T670), ≤4.0(LSP T670,LOP T670,LYP T670). 1) BEI MU...
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