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设计三相PFC注意这几点!
对于三相PFC,有多种拓扑结构,具体可根据应用要求而定。不同的应用在功率流方向、尺寸、效率、环境条件和成本限制等参数方面会有所不同。在实施三相PFC系统时,设计人员应考虑几个注意事项。
2023-12-22
360次
安森美与博格华纳扩大碳化硅战略合作总价值超10亿美元
ON(安森美)与提供创新可持续的车行方案的全球领先供应商博格华纳(BorgWarner,纽约证交所股票代码:BWA),扩大碳化硅(SiC)方面的战略合作,协议总价值超10亿美元。博格华纳计划将安森美的EliteSiC 1200 V和750 V功率器件集成到其VIPER功率模块中。长期以来,双方已在广泛的产品领域开展战略合作,其中即包括EliteSiC器件。
2023-07-21
454次
安森美三相 PFC 转换器如何大幅提高车载充电器(OBC)功率
在这里,三相 PFC 提供的输出电压被固定为 700 V(精度5%)。得益于 SiC 技术,热容量可以扩展至更高的范围。以 50 Hz、230 Vac 的输入电压为例,其最大可交付功率为 11 kW。
2023-07-14
524次
安森美将汽车图像传感器Hyperlux
安森美将汽车图像传感器Hyperlux,意味着面对汽车行业图像传感器设计的各种挑战,安森美致力于在千变万化的光照条件和极端情况下,依然实现“所见即所得”,让汽车之眼看到的光真正做到安全可靠。
2023-07-08
517次
安森美推出了一款端对端定位系统
智能电源和智能感知技术的领先企业安森美onsemi,推出了一款端对端定位系统,让设计人员可以更方便快速地开发出更高精度、更具成本效益、更省电的资产追踪解决方案。该系统基于安森美的RSL15 MCU,这是业界功耗最低的Bluetooth® 5.2 MCU,并采用了Unikie和CoreHW的软件算法和组件,形成一个全集成的解决方案,其组件已经过优化,可以协同工作。
2023-07-04
438次
SiC高性能碳化硅器件
SiC高性能碳化硅器件等宽禁带 (WBG) 器件对于当今汽车和可再生能源等应用至关重要。随着我们的世界逐渐转向使用可持续能源(主要是电力),能效比以往任何时候都更重要。提高开关模式能效的方法之一是降低铜损和开关损耗。然而,为了应对这一挑战,直流母线电压不断上升,半导体技术必须发展以跟上步伐。这些技术对企业实现碳减排承诺至关重要。
2023-07-04
423次
IGBT如何选择?
IGBT如何选择?碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 等宽禁带半导体的应用日益增多,受到广泛关注。然而,在这些新技术出现之前,许多高功率应用都是使用高效、可靠的绝缘栅双极型晶体管 (IGBT),事实上,许多此类应用仍然适合继续使用 IGBT。IGBT 器件的结构和运行,并列举多种不同 IGBT 应用的电路拓扑结构,然后探讨这种多用途可靠技术的新兴拓扑结构。
2023-07-04
447次
安森美高能效、小外形的240W USB PD3.1 EPR适配器参考设计
安森美(onsemi)最新推出的240 W图腾柱PFC配合最新的高频准谐振 (QR)控制器所构成的双管反激变换器 USB PD3.1 EPR适配器和快充参考设计,模拟协议控制板支持所有PD 3.1 EPR固定输出,在230Vac和48V输出条件下,四点平均能效达到95.4%,在230Vac和48V5A时,效率高达96.2%, 待机功耗在100mW以下,远超COC V5 Tier2标准,且PCBA尺寸仅89mm x 51mm x 21.5mm,功率密度为40W/立方英寸,并且采用低成本的双层PCB设计,是下一代PD3.1 EPR智能手机快充、笔记本电脑适配器、电动工具快充等的理想选择方案。
2023-06-28
500次
电动车充电桩方案设计与核心EliteSiC功率器件
EV充电桩的用电量动辄高达数百KW,若没有考虑到用电质量及效率,势必会造成另外一个电力供应问题,本文将介绍安森美(onsemi)电动车EV充电桩方案与实现800V直流快充的核心EliteSiC功率器件。
2023-06-28
446次
深度剖析IGBT栅极驱动注意事项
IGBT晶体管的结构要比 MOSFET 或双极结型晶体管 (BJT) 复杂得多。它结合了这两种器件的特点,并且有三个端子:一个栅极、一个集电极和一个发射极。就栅极驱动而言,该器件的行为类似于 MOSFET。它的载流路径与 BJT 的集电极-发射极路径非常相似。图 1 显示了 n 型 IGBT 的等效器件电路。
2023-06-28
425次
安森美AR0822低带宽高动态范围(eHDR)技术
要想提高现有的对象检测和识别能力,需要解决在不利光照条件下,对运动中的对象和更远距离的精细细节捕获图像的难题。安森美(onsemi)新推出的AR0822传感器具备嵌入式高动态范围 (eHDR) 功能,可解决工程师在开发自主机器视觉系统时面临的复杂设计挑战。
2023-06-28
459次
安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 静态特性分析
SiC MOSFET 在功率半导体市场中正迅速普及,因为它最初的一些可靠性问题已得到解决,并且价位已达到非常有吸引力的水平。随着市场上的器件越来越多,必须了解 SiC MOSFET 与 IGBT 之间的共性和差异,以便用户充分利用每种器件。本系列文章将概述安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的关键特性及驱动条件对它的影响,作为安森美提供的全方位宽禁带生态系统的一部分,还将提供 NCP51705(用于 SiC MOSFET 的隔离栅极驱动器)的使用指南。
2023-06-14
358次
超低功耗无线MCU支持蓝牙低功耗 (LE)
超低功耗无线MCU支持蓝牙低功耗 (LE) 的设计可让设备长时间处于非工作状态,因此,您可能需要选用具有超低功耗睡眠模式的高能效无线微控制器 (MCU),这对于优化整体系统性能至关重要。
2023-05-25
469次
安森美1200 V EliteSiC MOSFET 模块车载充电器(OBC)
2021 年,市场上排名前 12 位的电动汽车的平均电池容量为 80 kW-hr。消费者主要在家中使用车辆的车载充电器(OBC) 进行充电。为确保合理的车辆充电时间,OEM 还将 OBC 的功率容量从 6.6 kW 提高到 11 kW,甚至高达 22 kW。
2023-05-23
510次
安森美车规级1200 V EliteSiC 碳化硅M3S器件
智能电源和智能感知技术的领导者安森美onsemi,推出最新一代1200 V EliteSiC 碳化硅(SiC)M3S器件,助力电力电子工程师实现更出色的能效和更低系统成本。全新产品系列包括有助于提高开关速度的EliteSiC MOSFET和模块,以适配越来越多的800 V电动汽车(EV)车载充电器(OBC)和电动汽车直流快充、太阳能方案以及能源储存等能源基础设施应用。
2023-05-10
524次
IGBT技术SiC优化混动和电动汽车的能效
IGBT 技术通常为中低档车辆提供更具成本效益的解决方案,SiC 提供出色的效率和峰值功率,尤其是在较高电压下,适用于非常重视续航里程和性能的车辆,系统成本也更加灵活。每个芯片阻抗更低,可实现出色的效率和热优化。在这些功能的共同作用下,每英里的电池消耗得以降低。虽然 SiC 的成本高于 IGBT,但在许多应用中,这被 SiC 提高的能效所带来的整车其他方面的成本节省所抵消。
2023-05-09
492次
安森美NCS32100双电感式旋转位置传感器
安森美的NCS32100是一种新的双电感式旋转位置传感器,在工业应用中可提供中高端光学编码器通常具有的高精度与高转速。这创新的装置采用专利认证的技术,有八个信号通道,可以以各种方式分配给多达八个定子线圈使用,以提供精细和粗略的定位。
2023-05-06
553次
安森美低功耗蓝牙无线OTC数字助听器
安森美(onsemi)拥有30多年的助听器芯片设计经验,是行业内领先的助听器芯片供应商,安森美(onsemi)一系列先进的专业数字助听器/OTC辅听方案,包括Ezairo 7160、Ezairo 8300、J11/J10低功耗蓝牙无线OTC等平台,顺应助听器无线化、智能化、体积更小的趋势,满足助听器市场对无线验配、接听电话、无线音频流传输等功能的要求。
2023-04-24
2306次
碳化硅半导体光伏市场
碳化硅半导体应用市场基于碳化硅的光伏逆变系统能够在效率、体积和重量上做得更好。宽禁带材料的优异特性允许基于其制造的半导体器件在高频高温高压下工作,高频意味着更小的电感体积和高频条件下仍能接受的损耗,高温意味着更好的散热能力和更加紧凑的系统布局 。
2023-04-20
392次
车载图像传感器高动态范围技术解析
如果说图像传感器是智能驾驶汽车的“眼睛”,那图像传感器动态范围作为汽车成像中的一个关键指标,就代表了这只“眼睛”能看到的细节、层次与特征多少,对行驶过程中的环境路况判断有很大影响。什么是动态范围?维基百科定义,动态范围(Dynamic Range)是可变化信号(例如声音或光)最大值和最小值的比值。
2023-04-19
542次
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