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  • MDD辰达半导体推出低内阻、强抗浪涌MOSFET，电池管理系统BMS中的关键元器件
    • 在储能BMS中，充放电控制和主动均衡是两大关键电路，都离不开高性能的MOSFET。MDD辰达半导体推出的MDDG03R04Q与MDDG04R06Q两款N沟道MOSFET， 采用先进的 SGT工艺，轻松应对BMS中的会遇到的挑战。
    2025-12-10 36次
  • 芯伯乐24C02/24C04/24Cxx:百万次擦写非易失性存储器的解决方案
    • 在嵌入式系统与智能设备中，小容量、可重复擦写的非易失性存储器始终扮演着关键角色。芯伯乐24Cxx系列串行EEPROM凭借其标准化的接口、稳定的性能与极低的功耗，成为存储配置参数、用户设置、运行日志等的首选方案。无论是消费电子、工业控制还是物联网设备，都能见到它的身影。
    2025-12-10 16次
  • 芯伯乐低噪声轨到轨运放芯片XAD8605/8606/8608系列，11MHz带宽高精度信号调理
    • 在工业控制、汽车电子和便携式设备等领域，对运算放大器的性能要求越来越高，尤其是在带宽、噪声、功耗和输入输出范围等方面的平衡。芯伯乐的XAD8605/XAD8606/XAD8608系列运算放大器，以其11MHz带宽、低噪声、轨到轨输入输出和微安级功耗，为高精度信号处理提供了可靠的解决方案。
    2025-12-10 63次
  • VBGED1401——LFPAK56封装，40V/0.8mΩ超低阻SGT MOSFET，刷新了中压MOSFET的性能极限
    • VBGED1401——LFPAK56封装，40V/0.8mΩ超低阻SGT MOSFET，刷新了中压MOSFET的性能极限
    2025-12-09 33次
  • 全球第三国内首款顶部散热TOLT封装功率MOSFET-VBGQTA1101
    • 近日，国内功率半导体领域迎来突破性进展——微碧半导体（VBsemi）正式推出新品VBGQTA1101，采用创新TOLT-16封装。这不仅是中国首款采用顶部散热技术的功率MOSFET，更以"热传导与电流路径解耦"的核心设计，实现了功率密度与散热效率的跨越式升级，标志着我国在高功率半导体封装技术领域成功跻身国际先进行列！
    2025-12-09 12次
  • MDD辰达半导体防护器件，全方位防护USB充电口浪涌静
    • 随着USB快充的发展，支持的产品种类也越来越多，比如手机、笔记本电脑、平板、电动工具、各种消费类产品乃至小型家电等高能耗设备。然而，随着功率的提升，充电口面临的浪涌和静电威胁也越来越严重，对产品可靠性提出了更高的防护要求
    2025-11-13 19次
  • 芯伯乐微安级功耗高精度信号处理、零漂移轨到轨运放芯片系列
    • 在当今的电子系统设计中，运算放大器作为信号处理的核心元件，其性能的优劣直接决定了信号链路的品质与输出信号的可靠性。特别是在工业自动化、精密仪器仪表设备等领域，对于高精度、低功耗且能够在复杂条件下稳定工作的运放芯片需求日益增长。芯伯乐XBL8551/XBL8552/XBL8554系列运算放大器凭借其卓越的性能，为设计工程师提供了一个理想的解决方案。
    2025-09-22 208次
  • 芯伯乐XBL6019 60V/5A DC-DC升压芯片的优质选择
    • 在电子电路设计领域，芯伯乐推出的XBL6019芯片以其优异的性能和广泛的应用范围受到广泛关注。芯伯乐XBL6019是一款专为升压（boost）、反激（flyback）和正激（forward）转换器设计的单片集成电路。它集成了5A PMOSFET开关和必要的保护电路，内置了包括电流限制、热限制和欠压锁定功能，能够确保电路在各种工况下的稳定运行。
    2025-09-22 241次
  • 歌尔微 SPL17-002 技术选型指南：参数、维度与场景适配
    • SPL17-002 的气压测量范围突破至 10kPa~130kPa，对应海拔从 - 2000m（深海探测、地下工程）到 15000m（高空科研、航空模型），相比前代产品进一步拓展极端环境适配能力。精度表现上，25℃环境下典型气压精度达 ±0.15hPa，高精度模式下分辨率提升至 0.01Pa，可捕捉 0.1mm 高度差对应的气压变化，满足室内微定位、精密设备高度校准等对精度要求苛刻的场景。
    2025-09-16 191次
  • 歌尔微 SPL16-002：气压传感新高度，技术与应用全析
    • SPL16-002将气压测量精度提升至新水准，在 25℃环境下，典型精度可达 ±0.2hPa，较 SPL16-001 进一步缩小误差范围，这使它能精准捕捉到气压的细微波动，在气象监测、航空航天等对气压精度要求严苛的领域优势尽显。其气压测量范围依旧维持在 20kPa - 120kPa，对应海拔从 - 1000m 至 12000m，无论是深海作业、地下矿井，还是高空飞行，都能稳定工作。在温度测量方面，-40℃ - 105℃的宽温范围延续不变，精度则优化至 ±0.25℃，优于多数同类产品，为高温工业制程、低温冷链物流等场景提供更可靠的度数据支撑。
    2025-09-16 204次
  • 歌尔微SPL16-001高精度传感器：性能、开发与应用全解析
    • SPL16-001的气压测量范围扩展至 20kPa~120kPa，对应海拔高度从 - 1000m（深海或地下工程场景）到 12000m（高空探测场景），突破传统传感器的海拔覆盖限制，可适配高原科考、航空模型等特殊场景。在精度表现上，其气压测量典型精度达 ±0.3hPa（25℃环境下），优于多数同级别产品；高精度模式下分辨率更是提升至 0.02Pa，能捕捉到 0.2mm 高度差对应的气压变化，为室内微定位、精密设备高度校准等场景提供数据支撑。
    2025-09-16 192次
  • 歌尔微SPL06-001数字气压传感器选型开发应用解析
    • SPL06-001的气压测量范围为30kPa至110kPa，对应海拔高度约-500m至9000m，能覆盖绝大多数常见的气压环境，无论是在低于海平面的盆地，还是高耸入云的山峰，都可稳定工作。例如在气象监测站，该范围足以应对各种天气状况下的气压变化；在无人机飞行场景中，可满足其在不同海拔区域的飞行需求。
    2025-09-16 232次
  • 歌尔微SPA06-003：赋能多领域智能化方案
    • 歌尔微SPA06-003运用先进的传感技术，其核心基于对特定物理量变化的精准捕捉与转换。例如，在某些应用场景中，它利用压阻效应，当外界压力作用于传感器的敏感元件时，元件的电阻值会发生相应改变，通过精密的电路设计将这种电阻变化转换为电信号输出，从而实现对压力的精确测量。而在感知温度、湿度等环境因素时，采用了与之适配的热敏、湿敏材料，这些材料会随着环境参数的变化产生物理或化学特性的改变，进而被传感器检测并转化为可处理的数据。
    2025-09-16 185次
  • 歌尔微飞行时间（dtof）传感器SOT26-001深度解析
    • SOT26-001内部采用 rc 时钟源，实际频率可能与设计值存在偏差，且时钟频率会随温度变化而漂移。为确保距离测量的准确性，进行时钟校正是必不可少的环节。建议使用外部晶振作为主机时钟源，并在测量前计算并更新时钟校正系数。通过精确的时钟校正，能够有效消除时钟漂移带来的误差，使传感器的测量精度始终保持在最佳状态。
    2025-09-16 149次
  • 歌尔微 SPL06-001 产品参数特性详解及应用开发简介
    • 压力测量范围：SPL06-001 的压力测量范围极为宽泛，涵盖 300 至 1100hPa ，这一范围对应着相对海平面高度 +9000m 至 -500m。无论是在高耸入云的山峰，还是低于海平面的盆地，它都能精准地感知气压变化，为设备提供可靠的气压数据，满足如航空、登山、水下探测等不同场景对气压监测的需求。
    2025-09-16 204次
  • 海力士 H5AN8G6NDJR-VKC 详细介绍
    • H5AN8G6NDJR-VKC展现出均衡且出色的性能。它拥有 8Gbit 的存储容量，采用 512M x 16 的组织架构，这意味着其内部包含 512M 个存储单元，每个单元可进行 16 位数据的并行处理，能够满足大量数据的存储与快速调用需求。数据传输速度达到 2400Mbps，配合 DDR4 技术特有的双数据速率模式，在时钟信号的上升沿和下降沿都能实现数据传输，大幅提升了数据吞吐能力，可快速响应设备对数据的读写请求。
    2025-09-09 400次
  • 海力士 H5AN8G6NCJR-XNC 选型、赋能、开发简介
    • 存储容量：H5AN8G6NCJR-XNC 单颗芯片具备 8Gbit 的大容量，采用 512M x 16 的组织形式。对于一般办公电脑，该容量足以支撑日常办公软件多开及基本多任务处理，实现流畅操作体验。但在大数据分析平台、数据中心服务器等对数据存储与运算要求极为严苛的场景中，往往需要多颗芯片并行工作，以搭建起满足需求的大容量内存体系，确保海量数据的高效存储与快速调用。
    2025-09-09 260次
  • 海力士 H5AN8G6NCJR-WMC 功能特性介绍和选型要点
    • H5AN8G6NCJR-WMC 单颗芯片拥有 8Gbit 的大容量内存，采用 512M x 16 的组织形式。这意味着它能够存储海量数据，对于数据密集型应用场景而言，具有极大优势。例如在企业级服务器中，需要存储和快速调用大量的业务数据、数据库文件等，该芯片的高容量特性可有效减少内存扩展的需求，降低硬件成本和系统复杂度。
    2025-09-09 179次
  • 海力士 H5AN8G6NCJR-VKC：参数与应用深度解析
    • 在 5G 基站的应用中，H5AN8G6NCJR-VKC主要承担基带信号处理单元（BBU）的临时数据缓存任务。在 Massive MIMO 技术的基站中，每根天线每秒产生的 I/Q 数据量高达 800MB，H5AN8G6NCJR-VKC 的高速带宽能够实时缓存 4 个天线通道的并行数据，配合 FPGA 完成波束赋形计算。其支持的 On-Die ECC（片上错误校验）功能，可自动修正单比特错误，在信号干扰严重的城市密集区，能将数据重传率降低 30% 以上。
    2025-09-09 239次
  • 海力士 H5ANAG6NCJR-WMC：高性能内存芯片的独特赋能与竞品优势剖析
    • H5ANAG6NCJR-WMC 构建于成熟且先进的 DDR4 SDRAM 技术之上。DDR4 相较于 DDR3 实现了多维度的技术飞跃，其中核心电压从 1.5V 降至 1.2V，这一关键变化不仅大幅降低了芯片的功耗，对于依赖电池供电的移动设备而言，显著延长了续航时间；在大规模数据中心，更是有效降低了能源成本。同时，DDR4 引入的 Bank Group 架构，将内存 bank 巧妙划分为多个独立组，允许数据请求并行处理，使得带宽提升约 50%，为设备高效处理复杂数据任务奠定了坚实基础。芯片内部集成的温度传感器与电源管理单元，犹如智能管家，实时监测芯片状态并动态调整运行参数，确保系统在各种复杂工作条件下都能稳定运行，为设备的持续高效运转提供保障。
    2025-09-08 183次
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