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AIMBG75R050M2H

现货,推荐

CoolSiC™ MOSFET 750 V 利用了英飞凌 20 多年的 SiC 经验。它在性能、可靠性和稳健性方面具有优势,具有栅极驱动灵活性,可实现简化且高效的系统设计,从而实现最高效率和功率密度。 创新的顶部冷却封装进一步增强了CoolSiC™ 750 V 的优势,提供了更高的密度、优化的功率回路设计以及更少的系统和组装成本。

Infineon英飞凌 AIMBG75R050M2H 产品介绍
2026-04-14 10次

产品详情


  • 硬开关效率卓越
  • 启用更高的开关频率
  • 更高的可靠性
  • 可承受超过 500 V 的总线电压
  • 抗寄生导通的稳健性
  • 单极驱动
  • 一流的散热性能

特性


  • 高度稳健的 750 V 技术
  • 一流的 RDS(on) x Qfr
  • 卓越的 Ron x Qoss 和 Ron x QG
  • 低电平 Crss/Ciss 以及高 Vgsth
  • 100% 雪崩测试
  • 英飞凌芯片贴装技术
  • 尖端顶部冷却封装

应用


汽车辅助系统, 汽车电池保护和断开连接, 用于电动汽车的高压 DC-DC 转换器, 车载充电器(OBC), Solid-state circuit breaker (SSCB)

参数


类型

描述

最高 ID (@25°C)

34 A

最高 RDS (on) (@ Tj = 25°C)

65 mΩ

RDS (on) (@ Tj = 25°C)

50 mΩ

最高 RthJC

1.11 K/W

最高 VDS

750 V

安装

SMT

封装

D2PAK 7-pin

工作温度 范围

-55 °C 至 175 °C

技术

CoolSiC™ G2

极性

N

认证标准

Automotive

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