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IMW65R010M2H

现货,推荐

采用 TO-247-3 封装的 CoolSiC ™ MOSFET 650 V、10 mΩ G2 以第一代技术的优势为基础,能够加速系统设计,从而实现成本更优化、更高效、更紧凑、更可靠的解决方案。第二代在硬开关操作和软开关拓扑的关键品质因数方面都有显著改进,适用于所有常见的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 级组合。

Infineon英飞凌 IMW65R010M2H 产品介绍
2026-04-14 3次

产品详情


  • 节省 BOM 成本
  • 最大化单位成本的系统性能
  • 最高可靠性
  • 实现最高效率和功率密度
  • 易于使用
  • 与现有供应商完全兼容
  • 允许无风扇或散热器的设计

特性


  • 优异的品质因数 (FOM)
  • 同类最佳的 RDS(on)
  • 高稳健性和整体质量
  • 灵活的驱动电压范围
  • 支持单极驱动 (VGSoff=0)
  • 对开启效应具有最佳免疫力
  • 改进了与 .XT 的封装互连

应用


Battery energy storage (BESS), 电动汽车充电, Solid-state circuit breaker (SSCB), 单相串联逆变器解决方案, 开关模式电源(SMPS)

参数


类型

描述

最高 ID (@25°C)

46 A

最高 RDS (on) (@ Tj = 25°C)

13 mΩ

RDS (on) (@ Tj = 25°C)

10 mΩ

最高 RthJC

0.87 K/W

最高 VDS

650 V

安装

THT

封装

TO247

工作温度 范围

-55 °C 至 175 °C

技术

CoolSiC™ G2

极性

N

认证标准

Industrial

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